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T731N43TOH: 产品描述Silicon Controlled Rectifier, 1280000mA I(T), 4300V V(DRM); 产品类别模拟混合信号IC 触发装置; 文件大小181KB，共9页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/; 标准

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T731N43TOH概述

Silicon Controlled Rectifier, 1280000mA I(T), 4300V V(DRM)

T731N43TOH规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
包装说明	,
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
标称电路换相断开时间	500 µs
关态电压最小值的临界上升速率	2000 V/us
最大直流栅极触发电流	350 mA
最大直流栅极触发电压	2.5 V
最大维持电流	350 mA
JESD-609代码	e3
最大漏电流	200 mA
湿度敏感等级	1
通态非重复峰值电流	18000 A
最大通态电流	1280000 A
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
峰值回流温度（摄氏度）	225
断态重复峰值电压	4300 V
端子面层	MATTE TIN
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
触发设备类型	SCR
Base Number Matches	1

T731N43TOH相似产品对比

	T731N43TOH	T731N42TOF	T731N44TOH	T731N44TOHXPSA1	T731N45TOH	T731N39TOH	T731N41TOH	T731N38TOH	T731N42TOH	T731N40TOH
描述	Silicon Controlled Rectifier, 1280000mA I(T), 4300V V(DRM)		The T731N Phase Control Thyristor discs are assembled in high reliable, robust and hermetic sealed ceramic housings with a dia of 75mm and a height of 26mm.	SCR MODULE 4400V 2010A DO200AC	Silicon Controlled Rectifier, 1280000mA I(T), 4500V V(DRM)	Silicon Controlled Rectifier, 1280000mA I(T), 3900V V(DRM)	Silicon Controlled Rectifier, 1280000mA I(T), 4100V V(DRM)	Silicon Controlled Rectifier, 2010A I(T)RMS, 925000mA I(T), 3800V V(DRM), 3800V V(RRM), 1 Element	Silicon Controlled Rectifier, 2010A I(T)RMS, 925000mA I(T), 4200V V(DRM), 4200V V(RRM), 1 Element	Silicon Controlled Rectifier, 2010A I(T)RMS, 925000mA I(T), 4000V V(DRM), 4000V V(RRM), 1 Element
是否Rohs认证	符合	-	符合	符合	符合	符合	符合	-	-	-
Reach Compliance Code	compliant	-	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
标称电路换相断开时间	500 µs	-	500 µs	-	500 µs	500 µs	500 µs	500 µs	500 µs	500 µs
关态电压最小值的临界上升速率	2000 V/us	-	2000 V/us	-	2000 V/us	2000 V/us	2000 V/us	2000 V/us	2000 V/us	2000 V/us
最大直流栅极触发电流	350 mA	-	350 mA	350 mA	350 mA	350 mA	350 mA	350 mA	350 mA	350 mA
最大直流栅极触发电压	2.5 V	-	2.5 V	-	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
最大维持电流	350 mA	-	350 mA	-	350 mA	350 mA	350 mA	350 mA	350 mA	350 mA
JESD-609代码	e3	-	-	-	e3	e3	e3	e3	e3	e3
最大漏电流	200 mA	-	150 mA	-	200 mA	200 mA	200 mA	150 mA	150 mA	150 mA
通态非重复峰值电流	18000 A	-	17000 A	-	18000 A	18000 A	18000 A	17000 A	17000 A	17000 A
最大通态电流	1280000 A	-	925000 A	-	1280000 A	1280000 A	1280000 A	925000 A	925000 A	925000 A
最高工作温度	125 °C	-	125 °C	-	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-	-40 °C	-	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
峰值回流温度（摄氏度）	225	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	225	225	225	-	-	-
断态重复峰值电压	4300 V	-	4400 V	4400 V	4500 V	3900 V	4100 V	3800 V	4200 V	4000 V
端子面层	MATTE TIN	-	-	-	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	-	-
触发设备类型	SCR	-	SCR	SCR	SCR	SCR	SCR	SCR	SCR	SCR
Base Number Matches	1	-	1	1	1	1	1	1	1	1

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