AN0420NA,AN0420NA pdf中文资料,AN0420NA引脚图,AN0420NA电路-Datasheet-电子工程世界

AN0420NA: 产品描述TRANSISTOR,MOSFET,ARRAY,N-CHANNEL,200V V(BR)DSS,30MA I(D),DIP; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小194KB，共3页; 制造商Microchip(微芯科技); 官网地址https://www.microchip.com

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AN0420NA概述

TRANSISTOR,MOSFET,ARRAY,N-CHANNEL,200V V(BR)DSS,30MA I(D),DIP

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
Reach Compliance Code	compliant
其他特性	GATE PROTECTED
配置	COMMON SOURCE, 8 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	0.03 A
最大漏极电流 (ID)	0.03 A
最大漏源导通电阻	300 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	2.4 pF
JESD-30 代码	R-PDIP-T18
JESD-609代码	e0
元件数量	8
端子数量	18
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	1.5 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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