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Datasheet> 器件分类 > 模拟混合信号IC> 放大器电路> HS9-5104AEH-Q
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HS9-5104AEH-Q

产品描述

HS9-5104AEH-Q放大器基础信息：

HS9-5104AEH-Q是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DFP,

HS9-5104AEH-Q放大器核心信息：

HS9-5104AEH-Q的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED

如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，HS9-5104AEH-Q的标称压摆率有2 V/us。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，HS9-5104AEH-Q增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为8000 kHz。

HS9-5104AEH-Q的输入失调电压为3000 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）

HS9-5104AEH-Q的相关尺寸：

HS9-5104AEH-Q的宽度为：6.285 mm，长度为9.91 mmHS9-5104AEH-Q拥有14个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为1.27 mm。

HS9-5104AEH-Q放大器其他信息：

其温度等级为：MILITARY。HS9-5104AEH-Q不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为：R-CDFP-F14。其对应的的JESD-609代码为：e4。HS9-5104AEH-Q的封装代码是：DFP。

HS9-5104AEH-Q封装的材料多为CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED。而其封装形状为RECTANGULAR。HS9-5104AEH-Q封装引脚的形式有：FLATPACK。其端子形式有：FLAT。座面最大高度为2.92 mm。

产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小264KB，共5页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
器件替换：HS9-5104AEH-Q替换放大器
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HS9-5104AEH-Q在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
HS9-5104AEH-Q - - 点击查看 点击购买

HS9-5104AEH-Q概述

HS9-5104AEH-Q放大器基础信息：

HS9-5104AEH-Q是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DFP,

HS9-5104AEH-Q放大器核心信息：

HS9-5104AEH-Q的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED

如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，HS9-5104AEH-Q的标称压摆率有2 V/us。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，HS9-5104AEH-Q增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为8000 kHz。

HS9-5104AEH-Q的输入失调电压为3000 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）

HS9-5104AEH-Q的相关尺寸：

HS9-5104AEH-Q的宽度为：6.285 mm，长度为9.91 mmHS9-5104AEH-Q拥有14个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为1.27 mm。

HS9-5104AEH-Q放大器其他信息：

其温度等级为：MILITARY。HS9-5104AEH-Q不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为：R-CDFP-F14。其对应的的JESD-609代码为：e4。HS9-5104AEH-Q的封装代码是：DFP。

HS9-5104AEH-Q封装的材料多为CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED。而其封装形状为RECTANGULAR。HS9-5104AEH-Q封装引脚的形式有：FLATPACK。其端子形式有：FLAT。座面最大高度为2.92 mm。

HS9-5104AEH-Q规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明DFP,
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码USML XV(E)
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
最大输入失调电压3000 µV
JESD-30 代码R-CDFP-F14
JESD-609代码e4
长度9.91 mm
功能数量4
端子数量14
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DFP
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.92 mm
标称压摆率2 V/us
表面贴装YES
技术BIPOLAR
温度等级MILITARY
端子面层Gold (Au)
端子形式FLAT
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
总剂量100k Rad(Si) V
标称均一增益带宽8000 kHz
宽度6.285 mm
Base Number Matches1

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HS-5104ARH, HS-5104AEH
Radiation Hardened, Low Noise Quad Operational Amplifiers
The HS-5104ARH, HS-5104AEH are radiation hardened,
monolithic quad operational amplifiers that provide highly
reliable performance in harsh radiation environments.
Excellent noise characteristics coupled with a unique array of
dynamic specifications make these amplifiers well-suited for a
variety of satellite system applications. Dielectrically isolated,
bipolar processing makes these devices immune to Single
Event Latch-Up.
The HS-5104ARH, HS-5104AEH show almost no change in offset
voltage after exposure to 100kRAD(Si) gamma radiation, with
only a minor increase in current. Complementing these
specifications is a post radiation open loop gain in excess of 40k.
These quad operational amplifiers are available in an industry
standard pinout, allowing for immediate interchangeability
with most other quad operational amplifiers.
FN3025
Rev 5.00
July 12, 2013
Features
• Electrically screened to SMD #
5962-95690
• QML qualified per MIL-PRF-38535 requirements
• Radiation environment
- High dose rate (50-300rad(Si)/s). . . . . . . . . . . 100krad(Si)
- Low dose rate (0.01rad(Si)/s) . . . . . . . . . . . . . . .50krad(Si)
• No latch-up, dielectrically isolated device islands
• Low noise
- At 1kHz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.3nV/Hz (Typ)
- At 1kHz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.6pA/Hz (Typ)
• Low offset voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.0mV (Max)
• High slew rate . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.0V/µs (Typ)
• Gain bandwidth product . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8.0MHz (Typ)
Applications
• High Q, active filters
• Voltage regulators
• Integrators
• Signal generators
• Voltage references
• Space environment
Ordering Information
ORDERING/SMD NUMBER
5962R9569001VXC
5962R9569002VXC
5962R9569001VCC
5962R9569002VCC
5962R9569001V9A
5962R9569002V9A
HS1-5104ARH/PROTO
HS0-5104ARH/SAMPLE
HS9-5104ARH/PROTO
INTERNAL
MKT. NUMBER
(NOTE 1 )
HS9-5104ARH-Q
HS9-5104AEH-Q
HS1-5104ARH-Q
HS1-5104AEH-Q
HS0-5104ARH-Q
HS0-5104AEH-Q
HS1-5104ARH/PROTO
HS0-5104ARH/SAMPLE
HS9-5104ARH/PROTO
TEMP. RANGE
(°C)
-55 to +125
-55 to +125
-55 to +125
-55 to +125
-55 to +125
-55 to +125
-55 to +125
-55 to +125
-55 to +125
HS9-5104ARH/PROTO
HS1-5104ARH/PROTO
PART
MARKING
Q 5962R95 69001VXC
Q 5962R95 69002VXC
Q 5962R95 69001VCC
Q 5962R95 69002VCC
PACKAGE
(RoHS Compliant)
(NOTE 2)
14 Ld Flatpack
14 Ld Flatpack
14 Ld SBDIP
14 Ld SBDIP
Die
Die
14 Ld SBDIP
Die
14 Ld Flatpack
K14.A
D14.3
PKG. DWG. #
K14.A
K14.A
D14.3
D14.3
1. Specifications for Rad Hard QML devices are controlled by the Defense Logistics Agency Land and Maritime (DLA). The SMD numbers listed in
the“Ordering Information” table must be used when ordering.
2. These Intersil Pb-free Hermetic packaged products employ 100% Au plate - e4 termination finish, which is RoHS compliant and compatible with
both SnPb and Pb-free soldering operations.
FN3025.5
FN3025 Rev 5.00
July 12, 2013
July 12, 2013
Page 1 of 5

HS9-5104AEH-Q相似产品对比

HS9-5104AEH-Q HS1-5104ARH-Q HS1-5104AEH-Q HS0-5104AEH-Q HS9-5104ARH-Q HS9-5104ARH-T
描述 QUAD OP-AMP, 3000uV OFFSET-MAX, 8MHz BAND WIDTH, CDFP14, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, METAL SEALED, CERAMMIC, DFP-14 QUAD OP-AMP, 3000uV OFFSET-MAX, 8MHz BAND WIDTH, CDIP14, SIDE BRAZED, DIP-14 QUAD OP-AMP, 3000uV OFFSET-MAX, 8MHz BAND WIDTH, CDIP14, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, METAL SEALED, CERAMIC, SBDIP-14 QUAD OP-AMP, 3000uV OFFSET-MAX, 8MHz BAND WIDTH, CDIP14, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, METAL SEALED, CERAMIC, SBDIP-14 QUAD OP-AMP, 3000uV OFFSET-MAX, 8MHz BAND WIDTH, CDFP14, CERAMIC, DFP-14 QUAD OP-AMP, 3000uV OFFSET-MAX, 8MHz BAND WIDTH, CDFP14, CERAMIC, DFP-14
是否Rohs认证 符合 不符合 符合 符合 不符合 不符合
包装说明 DFP, DIP-14 DIP, DIP, DFP, FL14,.3 DFP, FL14,.3
Reach Compliance Code compliant not_compliant compliant compliant _compli _compli
ECCN代码 USML XV(E) USML XV(E) USML XV(E) USML XV(E) EAR99 EAR99
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
最大输入失调电压 3000 µV 3000 µV 3000 µV 3000 µV 3000 µV 3000 µV
JESD-30 代码 R-CDFP-F14 R-CDIP-T14 R-CDIP-T14 R-CDIP-T14 R-CDFP-F14 R-CDFP-F14
JESD-609代码 e4 e0 e4 e4 e0 e0
功能数量 4 4 4 4 4 4
端子数量 14 14 14 14 14 14
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DFP DIP DIP DIP DFP DFP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK IN-LINE IN-LINE IN-LINE FLATPACK FLATPACK
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT APPLICABLE NOT APPLICABLE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 2.92 mm 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm 2.92 mm 2.92 mm
标称压摆率 2 V/us 2 V/us 2 V/us 2 V/us 2 V/us 2 V/us
表面贴装 YES NO NO NO YES YES
技术 BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 Gold (Au) Tin/Lead (Sn/Pb) Gold (Au) Gold (Au) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 FLAT THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE FLAT FLAT
端子节距 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT APPLICABLE NOT APPLICABLE
总剂量 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V
标称均一增益带宽 8000 kHz 8000 kHz 8000 kHz 8000 kHz 8000 kHz 8000 kHz
宽度 6.285 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 6.285 mm 6.285 mm
厂商名称 - - Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)

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