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HS1-5104ARH-Q

产品描述

HS1-5104ARH-Q放大器基础信息:

HS1-5104ARH-Q是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIP-14

HS1-5104ARH-Q放大器核心信息:

HS1-5104ARH-Q的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为:0.3 µA他的最大平均偏置电流为0.3 µA

如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,HS1-5104ARH-Q的标称压摆率有2 V/us。厂商给出的HS1-5104ARH-Q的最大压摆率为7.5 mA,而最小压摆率为1 V/us。其最小电压增益为50000。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,HS1-5104ARH-Q增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为8000 kHz。

HS1-5104ARH-Q的标称供电电压为15 V,其对应的标称负供电电压为-15 V。HS1-5104ARH-Q的输入失调电压为3000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)HS1-5104ARH-Q的宽度为:7.62 mm。

HS1-5104ARH-Q的相关尺寸:

HS1-5104ARH-Q拥有14个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚:14

HS1-5104ARH-Q放大器其他信息:

HS1-5104ARH-Q采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其不属于低失调类放大器。HS1-5104ARH-Q的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:MILITARY。HS1-5104ARH-Q不符合Rohs认证。

其不含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为:R-CDIP-T14。其对应的的JESD-609代码为:e0。HS1-5104ARH-Q的封装代码是:DIP。HS1-5104ARH-Q封装的材料多为CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED。

而其封装形状为RECTANGULAR。HS1-5104ARH-Q封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。

产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小264KB,共5页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准  
器件替换:HS1-5104ARH-Q替换放大器
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HS1-5104ARH-Q在线购买

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HS1-5104ARH-Q概述

HS1-5104ARH-Q放大器基础信息:

HS1-5104ARH-Q是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIP-14

HS1-5104ARH-Q放大器核心信息:

HS1-5104ARH-Q的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为:0.3 µA他的最大平均偏置电流为0.3 µA

如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,HS1-5104ARH-Q的标称压摆率有2 V/us。厂商给出的HS1-5104ARH-Q的最大压摆率为7.5 mA,而最小压摆率为1 V/us。其最小电压增益为50000。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,HS1-5104ARH-Q增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为8000 kHz。

HS1-5104ARH-Q的标称供电电压为15 V,其对应的标称负供电电压为-15 V。HS1-5104ARH-Q的输入失调电压为3000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)HS1-5104ARH-Q的宽度为:7.62 mm。

HS1-5104ARH-Q的相关尺寸:

HS1-5104ARH-Q拥有14个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚:14

HS1-5104ARH-Q放大器其他信息:

HS1-5104ARH-Q采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其不属于低失调类放大器。HS1-5104ARH-Q的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:MILITARY。HS1-5104ARH-Q不符合Rohs认证。

其不含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为:R-CDIP-T14。其对应的的JESD-609代码为:e0。HS1-5104ARH-Q的封装代码是:DIP。HS1-5104ARH-Q封装的材料多为CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED。

而其封装形状为RECTANGULAR。HS1-5104ARH-Q封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。

HS1-5104ARH-Q规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DIP
包装说明DIP-14
针数14
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码USML XV(E)
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.3 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.3 µA
标称共模抑制比80 dB
频率补偿YES
最大输入失调电压3000 µV
JESD-30 代码R-CDIP-T14
JESD-609代码e0
低-失调NO
负供电电压上限-20 V
标称负供电电压 (Vsup)-15 V
功能数量4
端子数量14
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP14,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源+-15 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度5.08 mm
最小摆率1 V/us
标称压摆率2 V/us
最大压摆率7.5 mA
供电电压上限20 V
标称供电电压 (Vsup)15 V
表面贴装NO
技术BIPOLAR
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
总剂量100k Rad(Si) V
标称均一增益带宽8000 kHz
最小电压增益50000
宽度7.62 mm
Base Number Matches1

HS1-5104ARH-Q相似产品对比

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描述 QUAD OP-AMP, 3000uV OFFSET-MAX, 8MHz BAND WIDTH, CDIP14, SIDE BRAZED, DIP-14 QUAD OP-AMP, 3000uV OFFSET-MAX, 8MHz BAND WIDTH, CDFP14, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, METAL SEALED, CERAMMIC, DFP-14 QUAD OP-AMP, 3000uV OFFSET-MAX, 8MHz BAND WIDTH, CDIP14, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, METAL SEALED, CERAMIC, SBDIP-14 QUAD OP-AMP, 3000uV OFFSET-MAX, 8MHz BAND WIDTH, CDIP14, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, METAL SEALED, CERAMIC, SBDIP-14 QUAD OP-AMP, 3000uV OFFSET-MAX, 8MHz BAND WIDTH, CDFP14, CERAMIC, DFP-14 QUAD OP-AMP, 3000uV OFFSET-MAX, 8MHz BAND WIDTH, CDFP14, CERAMIC, DFP-14
是否Rohs认证 不符合 符合 符合 符合 不符合 不符合
包装说明 DIP-14 DFP, DIP, DIP, DFP, FL14,.3 DFP, FL14,.3
Reach Compliance Code not_compliant compliant compliant compliant _compli _compli
ECCN代码 USML XV(E) USML XV(E) USML XV(E) USML XV(E) EAR99 EAR99
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
最大输入失调电压 3000 µV 3000 µV 3000 µV 3000 µV 3000 µV 3000 µV
JESD-30 代码 R-CDIP-T14 R-CDFP-F14 R-CDIP-T14 R-CDIP-T14 R-CDFP-F14 R-CDFP-F14
JESD-609代码 e0 e4 e4 e4 e0 e0
功能数量 4 4 4 4 4 4
端子数量 14 14 14 14 14 14
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DIP DFP DIP DIP DFP DFP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE FLATPACK IN-LINE IN-LINE FLATPACK FLATPACK
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT APPLICABLE NOT APPLICABLE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.08 mm 2.92 mm 5.08 mm 5.08 mm 2.92 mm 2.92 mm
标称压摆率 2 V/us 2 V/us 2 V/us 2 V/us 2 V/us 2 V/us
表面贴装 NO YES NO NO YES YES
技术 BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Gold (Au) Gold (Au) Gold (Au) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE FLAT THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE FLAT FLAT
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT APPLICABLE NOT APPLICABLE
总剂量 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V
标称均一增益带宽 8000 kHz 8000 kHz 8000 kHz 8000 kHz 8000 kHz 8000 kHz
宽度 7.62 mm 6.285 mm 7.62 mm 7.62 mm 6.285 mm 6.285 mm
厂商名称 - - Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)

 
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