Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRHF57230SCSPBF

IRHF57230SCSPBF: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-39, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小2MB，共8页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/; 标准

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IRHF57230SCSPBF概述

Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-39, 3 PIN

IRHF57230SCSPBF规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	BCY
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数	2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	110 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	200 V
最大漏极电流 (ID)	7.3 A
最大漏源导通电阻	0.22 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-205AF
JESD-30 代码	O-MBCY-W3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	29 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	WIRE
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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PD-93788B

IRHF57230

RADIATION HARDENED

POWER MOSFET

THRU-HOLE TO-205AF (TO-39)

Product Summary

Part Number Radiation Level

IRHF57230

IRHF53230

IRHF54230

IRHF58230

100 kRads(Si)

300 kRads(Si)

600 kRads(Si)

1000 kRads(Si)

200V, N-CHANNEL

TECHNOLOGY

DS(on)

0.22

0.275

7.3A

TO-39

Description

IR HiRel R5 technology provides high performance power

MOSFETs for space applications. These devices have been

characterized for Single Event Effects (SEE) with useful

performance up to an LET of 80 (MeV/(mg/cm

)). The

combination of low RDS(on) and low gate charge reduces the

power losses in switching applications such as DC to DC

converters and motor control. These devices retain all of the

well established advantages of MOSFETs such as voltage

control, fast switching and temperature stability of electrical

parameters.

Features



Single Event Effect (SEE) Hardened

Ultra Low RDS(on)

Neutron Tolerant

Identical Pre- and Post-Electrical Test Conditions

Repetitive Avalanche Ratings

Dynamic dv/dt Ratings

Simple Drive Requirements

Hermetically Sealed

ESD Rating: Class 1A per MIL-STD-750,

Method 1020

Absolute Maximum Ratings

Symbol

@ V

= 12V, T

= 25°C

@ T

= 25°C

@ T

= 25°C

dv/dt

STG

Pre-Irradiation

Parameter

Value

7.3

4.5

0.2

± 20

110

7.3

2.5

7.0

-55 to + 150

300 (0.063 in. /1.6 mm from case for 10s)

0.98 (Typical)

W/°C

V/ns

°C

Units

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current



Maximum Power Dissipation

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy



Avalanche Current



Repetitive Avalanche Energy



Peak Diode Recovery dv/dt



Operating Junction and

Storage Temperature Range

Lead Temperature

Weight

@ V

= 12V, T

= 100°C Continuous Drain Current

For Footnotes, refer to the page 2.

International Rectifier HiRel Products, Inc.

2018-12-04

IRHF57230SCSPBF相似产品对比

	IRHF57230SCSPBF	IRHF57230PBF	IRHF57230SESCSPBF	IRHF57230SEPBF	IRHF57230SCS
描述	Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-39, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, TO-39, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-39, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 200V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, MODIFIED TO-39, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-39, 3 PIN
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	不符合
零件包装代码	BCY	BCY	BCY	BCY	BCY
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数	2	2	2	2	2
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	110 mJ	110 mJ	130 mJ	149 mJ	110 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	200 V	200 V	200 V	200 V	200 V
最大漏极电流 (ID)	7.3 A	7.3 A	7 A	6.7 A	7.3 A
最大漏源导通电阻	0.22 Ω	0.22 Ω	0.24 Ω	0.24 Ω	0.22 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-205AF	TO-205AF	TO-205AF	TO-205AF	TO-205AF
JESD-30 代码	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3
元件数量	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	29 A	29 A	28 A	26.8 A	29 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40	40	40	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1	1	1	1
厂商名称	-	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	-
其他特性	-	AVALANCHE RATED	AVALANCHE RATED	AVALANCHE RATED	-

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