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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRHF57230SESCSPBF
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IRHF57230SESCSPBF

产品描述Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-39, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小2MB，共8页
制造商International Rectifier （ Infineon ）
官网地址http://www.irf.com/
标准
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IRHF57230SESCSPBF概述

Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-39, 3 PIN

IRHF57230SESCSPBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码BCY
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）130 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (ID)7 A
最大漏源导通电阻0.24 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-205AF
JESD-30 代码O-MBCY-W3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)28 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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PD-93788B
IRHF57230
RADIATION HARDENED
POWER MOSFET
THRU-HOLE TO-205AF (TO-39)
Product Summary
Part Number Radiation Level
IRHF57230
IRHF53230
IRHF54230
IRHF58230
100 kRads(Si)
300 kRads(Si)
600 kRads(Si)
1000 kRads(Si)
200V, N-CHANNEL
R5
TECHNOLOGY
R
DS(on)
0.22
0.22
0.22
0.275
I
D
7.3A
7.3A
7.3A
7.3A
TO-39
Description
IR HiRel R5 technology provides high performance power
MOSFETs for space applications. These devices have been
characterized for Single Event Effects (SEE) with useful
performance up to an LET of 80 (MeV/(mg/cm
2
)). The
combination of low RDS(on) and low gate charge reduces the
power losses in switching applications such as DC to DC
converters and motor control. These devices retain all of the
well established advantages of MOSFETs such as voltage
control, fast switching and temperature stability of electrical
parameters.
Features
Single Event Effect (SEE) Hardened
Ultra Low RDS(on)
Neutron Tolerant
Identical Pre- and Post-Electrical Test Conditions
Repetitive Avalanche Ratings
Dynamic dv/dt Ratings
Simple Drive Requirements
Hermetically Sealed
ESD Rating: Class 1A per MIL-STD-750,
Method 1020
Absolute Maximum Ratings
Symbol
I
D1
@ V
GS
= 12V, T
C
= 25°C
I
DM
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
T
J
T
STG
Pre-Irradiation
Parameter
Value
7.3
4.5
29
25
0.2
± 20
110
7.3
2.5
7.0
-55 to + 150
300 (0.063 in. /1.6 mm from case for 10s)
0.98 (Typical)
g
W
W/°C
V
mJ
A
mJ
V/ns
°C
A
Units
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Lead Temperature
Weight
I
D2
@ V
GS
= 12V, T
C
= 100°C Continuous Drain Current
For Footnotes, refer to the page 2.
1
International Rectifier HiRel Products, Inc.
2018-12-04

IRHF57230SESCSPBF相似产品对比

IRHF57230SESCSPBF IRHF57230PBF IRHF57230SEPBF IRHF57230SCSPBF IRHF57230SCS
描述 Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-39, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, TO-39, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 200V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, MODIFIED TO-39, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-39, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-39, 3 PIN
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 不符合
零件包装代码 BCY BCY BCY BCY BCY
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数 2 2 2 2 2
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
雪崩能效等级（Eas） 130 mJ 110 mJ 149 mJ 110 mJ 110 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V 200 V 200 V
最大漏极电流 (ID) 7 A 7.3 A 6.7 A 7.3 A 7.3 A
最大漏源导通电阻 0.24 Ω 0.22 Ω 0.24 Ω 0.22 Ω 0.22 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-205AF TO-205AF TO-205AF TO-205AF TO-205AF
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度） 260 260 260 260 NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 28 A 29 A 26.8 A 29 A 29 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40 40 40 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1 1 1
厂商名称 International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） - -
其他特性 AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED - -

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