GaAs N-channel Dual Gate MES FET
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| 针数 | 4 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| 其他特性 | LOW NOISE |
| 外壳连接 | SOURCE |
| 配置 | SINGLE |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.08 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 0.08 A |
| FET 技术 | METAL SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 0.04 pF |
| 最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 4 |
| 工作模式 | DUAL GATE, DEPLETION MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 0.15 W |
| 最小功率增益 (Gp) | 18 dB |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches | 1 |
| 3SK166A-2 | 3SK166 | 3SK166A | 3SK166A-0 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | GaAs N-channel Dual Gate MES FET | GaAs N-channel Dual Gate MES FET | GaAs N-channel Dual Gate MES FET | GaAs N-channel Dual Gate MES FET |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | , | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code | unknow | unknow | unknow | unknow |
| FET 技术 | METAL SEMICONDUCTOR | METAL SEMICONDUCTOR | METAL SEMICONDUCTOR | METAL SEMICONDUCTOR |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | - | 不符合 |
| 针数 | 4 | - | 4 | 4 |
| 其他特性 | LOW NOISE | - | LOW NOISE | LOW NOISE |
| 配置 | SINGLE | - | SINGLE | SINGLE |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.08 A | 0.08 A | - | 0.08 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 0.08 A | - | 0.08 A | 0.08 A |
| 最大反馈电容 (Crss) | 0.04 pF | - | 0.04 pF | 0.04 pF |
| 最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | - | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 | - | R-PDSO-G4 | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | - | e0 |
| 元件数量 | 1 | - | 1 | 1 |
| 端子数量 | 4 | - | 4 | 4 |
| 工作模式 | DUAL GATE, DEPLETION MODE | - | DUAL GATE, DEPLETION MODE | DUAL GATE, DEPLETION MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | - | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | - | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 功耗环境最大值 | 0.15 W | 0.15 W | - | 0.15 W |
| 最小功率增益 (Gp) | 18 dB | - | 18 dB | 18 dB |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | - | YES | YES |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING | - | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL | - | DUAL | DUAL |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER | - | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | GALLIUM ARSENIDE | - | GALLIUM ARSENIDE | GALLIUM ARSENIDE |
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