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3SK166: 产品描述GaAs N-channel Dual Gate MES FET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小38KB，共5页; 制造商SONY(索尼); 官网地址http://www.sony.co.jp

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3SK166概述

GaAs N-channel Dual Gate MES FET

3SK166规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknow
最大漏极电流 (Abs) (ID)	0.08 A
FET 技术	METAL SEMICONDUCTOR
JESD-609代码	e0
最高工作温度	150 °C
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	0.15 W
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches	1

3SK166相似产品对比

	3SK166	3SK166A-2	3SK166A	3SK166A-0
描述	GaAs N-channel Dual Gate MES FET	GaAs N-channel Dual Gate MES FET	GaAs N-channel Dual Gate MES FET	GaAs N-channel Dual Gate MES FET
包装说明	,	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	unknow
FET 技术	METAL SEMICONDUCTOR	METAL SEMICONDUCTOR	METAL SEMICONDUCTOR	METAL SEMICONDUCTOR
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
Base Number Matches	1	1	1	1
是否Rohs认证	不符合	不符合	-	不符合
最大漏极电流 (Abs) (ID)	0.08 A	0.08 A	-	0.08 A
JESD-609代码	e0	e0	-	e0
最高工作温度	150 °C	150 °C	-	150 °C
功耗环境最大值	0.15 W	0.15 W	-	0.15 W
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)
针数	-	4	4	4
其他特性	-	LOW NOISE	LOW NOISE	LOW NOISE
配置	-	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最大漏极电流 (ID)	-	0.08 A	0.08 A	0.08 A
最大反馈电容 (Crss)	-	0.04 pF	0.04 pF	0.04 pF
最高频带	-	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码	-	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4
元件数量	-	1	1	1
端子数量	-	4	4	4
工作模式	-	DUAL GATE, DEPLETION MODE	DUAL GATE, DEPLETION MODE	DUAL GATE, DEPLETION MODE
封装主体材料	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
最小功率增益 (Gp)	-	18 dB	18 dB	18 dB
认证状态	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	-	YES	YES	YES
端子形式	-	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	-	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	-	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	-	GALLIUM ARSENIDE	GALLIUM ARSENIDE	GALLIUM ARSENIDE

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