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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> RN2964FE(TPL3,F)
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RN2964FE(TPL3,F)

产品描述PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-363VAR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小575KB，共8页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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RN2964FE(TPL3,F)概述

PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-363VAR

RN2964FE(TPL3,F)规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)80
元件数量2
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.1 W
表面贴装YES
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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RN2961FE~RN2966FE
TOSHIBA Transistor
Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor)
RN2961FE,RN2962FE,RN2963FE
RN2964FE,RN2965FE,RN2966FE
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and
Driver Circuit Applications
•
•
Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6-pin)
package.
Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.
Reducing the parts count enables the manufacture of ever more
compact equipment and lowers assembly cost.
•
Complementary to RN1961FE~RN1966FE
Unit: mm
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values
C
Type No.
RN2961FE
RN2962FE
R2
RN2963FE
RN2964FE
E
RN2965FE
RN2966FE
R1 (kΩ)
4.7
10
22
47
2.2
4.7
R2 (kΩ)
4.7
10
22
47
47
47
B
R1
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
―
―
2-2N1A
Weight: 0.003 g (typ.)
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C) (Q1, Q2 common)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
RN2961FE~2966FE
RN2961FE~2966FE
RN2961FE~2964FE
RN2965FE, 2966FE
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
(Note 1)
T
j
T
stg
Rating
−50
−50
−10
−5
−100
100
150
−55~150
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
Equivalent Circuit
(top view)
6
5
4
Q1
Q2
1
2
3
Note:
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Note 1: Total rating
1
2007-11-01

RN2964FE(TPL3,F)相似产品对比

RN2964FE(TPL3,F) RN2964FE(TE85L) RN2964FE(TPL3) RN2962FE(TPL3) RN2965FE(TE85L) RN2961FE(TE85L) RN2963FE(TE85L) RN2963FE(TPL3,F) RN2966FE(TPL3,F)
描述 PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-363VAR RN2964FE(TE85L) PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-363VAR PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-363VAR RN2965FE(TE85L) RN2961FE(TE85L) RN2963FE(TE85L) PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-363VAR PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-363VAR
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
是否Rohs认证 符合 - 不符合 不符合 - - - 符合 符合
最大集电极电流 (IC) 0.1 A - 0.1 A 0.1 A - - - 0.1 A 0.1 A
最小直流电流增益 (hFE) 80 - 80 50 - - - 70 80
元件数量 2 - 2 2 - - - 2 2
极性/信道类型 PNP - PNP PNP - - - PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.1 W - 0.1 W 0.1 W - - - 0.1 W 0.1 W
表面贴装 YES - YES YES - - - YES YES
晶体管元件材料 SILICON - SILICON SILICON - - - SILICON SILICON
厂商名称 - - - Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)

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