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RN2116MFV(TL3,T)

产品描述Small Signal Bipolar Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小763KB,共8页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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RN2116MFV(TL3,T)概述

Small Signal Bipolar Transistor

RN2116MFV(TL3,T)规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
Base Number Matches1

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RN2114MFV to RN2118MFV
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)(Bias Resistor built-in Transistor)
RN2114MFV, RN2115MFV, RN2116MFV
RN2117MFV, RN2118MFV
Unit: mm
Switching Applications
Inverter Circuit Applications
Interface Circuit Applications
Driver Circuit Applications
Ultra-small package, suited to very high density mounting
Incorporating a bias resistor into the transistor reduces the number of parts,
so enabling the manufacture of ever more compact equipment and lowering
assembly cost.
A wide range of resistor values is available for use in various circuits.
Complementary to the RN1114MFV to RN1118MFV
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values
Type No.
RN2114MFV
RN2115MFV
RN2116MFV
RN2117MFV
RN2118MFV
R1 (kΩ)
1
2.2
4.7
10
47
R2 (kΩ)
10
10
10
4.7
10
1.BASE
2.EMITTER
3.COLLECTOR
VESM
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
1-1Q1S
Weight: 1.5 mg (typ.)
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
RN2114MFV
to
RN2118MFV
RN2114MFV
RN2115MFV
Emitter-base voltage
RN2116MFV
RN2117MFV
RN2118MFV
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
RN2114MFV
to
RN2118MFV
I
C
P
C
(Note1)
T
j
T
stg
V
EBO
Symbol
V
CBO
V
CEO
Rating
−50
−50
−5
−6
−7
−15
−25
−100
150
150
−55
to 150
mA
mW
°C
°C
V
Unit
V
V
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant
change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating
conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling
Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated
failure rate, etc).
Note 1: Mounted on an FR4 board (25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6 mm)
Start of commercial production
2005-02
© 2016-2019
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
1
2019-01-07

RN2116MFV(TL3,T)相似产品对比

RN2116MFV(TL3,T) RN2116MFV,LF3(T
描述 Small Signal Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor
Reach Compliance Code unknown unknown
Base Number Matches 1 1
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