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HB56HW164EJN-6: 产品描述EDO DRAM Module, 1MX64, 60ns, CMOS, 133.35 X 5.28 MM, 25.40 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, DIMM-168; 产品类别存储存储; 文件大小477KB，共33页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

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HB56HW164EJN-6概述

EDO DRAM Module, 1MX64, 60ns, CMOS, 133.35 X 5.28 MM, 25.40 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, DIMM-168

HB56HW164EJN-6规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM168
针数	168
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	60 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N168
内存密度	67108864 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	168
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX64
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM168
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	1024
座面最大高度	25.4 mm
自我刷新	NO
最大待机电流	0.004 A
最大压摆率	0.68 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
Base Number Matches	1

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HB56HW164EJN Series

1,048,576-word

64-bit High Density Dynamic RAM Module

ADE-203-696A (Z)

Rev.1.0

Dec. 27, 1996

Description

The HB56HW164EJN belongs to 8 Byte DIMM (Dual In-line Memory Module) family, and has been

developed as an optimized main memory solution for 4 and 8 Byte processor applications. The

HB56HW164EJN is a 1M

64 dynamic RAM module, mounted 4 pieces of 16-Mbit DRAM

(HM51W18165) sealed in SOJ package and 1 pieces of serial EEPROM (24C02) for Presence Detect (PD).

The HB56HW164EJN offers Extended Data Out (EDO) Page Mode as a high speed access mode. An

outline of the HB56HW164EJN is 168-pin socket type package (dual lead out). Therefore, the

HB56HW164EJN makes high density mounting possible without surface mount technology. The

HB56HW164EJN provides common data inputs and outputs. Decoupling capacitors are mounted on the

module board.

Features

•

168-pin socket type package (Dual lead out)



Outline: 133.35 mm (Length)

25.40 mm (Height)

5.28 mm (Thickness)



Lead pitch: 1.27 mm

•

Single 3.3 V (±0.3 V) supply

•

High speed



Access time: t

RAC

= 60/70ns (max)

CAC

= 15/18ns (max)

•

Low power dissipation



Active mode: 2.45/2.16W (max)



Standby mode (TTL): 28.8 mW (max)

(CMOS): 2.16 mW (max) (L-version)

•

JEDEC standard outline unbuffered 8-byte DIMM

•

EDO page mode capability

•

Refresh period



1024 refresh cycles: 16 ms

128 ms (L-version)

HB56HW164EJN-6相似产品对比

	HB56HW164EJN-6	HB56HW164EJN-7	HB56HW164EJN-6L	HB56HW164EJN-7L
描述	EDO DRAM Module, 1MX64, 60ns, CMOS, 133.35 X 5.28 MM, 25.40 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, DIMM-168	EDO DRAM Module, 1MX64, 70ns, CMOS, 133.35 X 5.28 MM, 25.40 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, DIMM-168	EDO DRAM Module, 1MX64, 60ns, CMOS, 133.35 X 5.28 MM, 25.40 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, DIMM-168	EDO DRAM Module, 1MX64, 70ns, CMOS, 133.35 X 5.28 MM, 25.40 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, DIMM-168
零件包装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168
针数	168	168	168	168
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	60 ns	70 ns	60 ns	70 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168
内存密度	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE
内存宽度	64	64	64	64
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	168	168	168	168
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	1MX64	1MX64	1MX64	1MX64
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM168	DIMM168	DIMM168	DIMM168
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	1024	1024	1024	1024
座面最大高度	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm
自我刷新	NO	NO	YES	YES
最大待机电流	0.004 A	0.004 A	0.0006 A	0.0006 A
最大压摆率	0.68 mA	0.6 mA	0.68 mA	0.6 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
厂商名称	-	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）

HB56HW164EJN-6

HB56HW164EJN-6概述

HB56HW164EJN-6规格参数

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