EDO DRAM Module, 1MX64, 60ns, CMOS, 133.35 X 5.28 MM, 25.40 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, DIMM-168
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Hitachi （Renesas ） |
| 零件包装代码 | DIMM |
| 包装说明 | DIMM, DIMM168 |
| 针数 | 168 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | FAST PAGE WITH EDO |
| 最长访问时间 | 60 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-N168 |
| 内存密度 | 67108864 bit |
| 内存集成电路类型 | EDO DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 64 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 168 |
| 字数 | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 1MX64 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIMM |
| 封装等效代码 | DIMM168 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 电源 | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 1024 |
| 座面最大高度 | 25.4 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 最大待机电流 | 0.0006 A |
| 最大压摆率 | 0.68 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| HB56HW164EJN-6L | HB56HW164EJN-6 | HB56HW164EJN-7 | HB56HW164EJN-7L | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | EDO DRAM Module, 1MX64, 60ns, CMOS, 133.35 X 5.28 MM, 25.40 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, DIMM-168 | EDO DRAM Module, 1MX64, 60ns, CMOS, 133.35 X 5.28 MM, 25.40 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, DIMM-168 | EDO DRAM Module, 1MX64, 70ns, CMOS, 133.35 X 5.28 MM, 25.40 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, DIMM-168 | EDO DRAM Module, 1MX64, 70ns, CMOS, 133.35 X 5.28 MM, 25.40 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, DIMM-168 |
| 零件包装代码 | DIMM | DIMM | DIMM | DIMM |
| 包装说明 | DIMM, DIMM168 | DIMM, DIMM168 | DIMM, DIMM168 | DIMM, DIMM168 |
| 针数 | 168 | 168 | 168 | 168 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 访问模式 | FAST PAGE WITH EDO | FAST PAGE WITH EDO | FAST PAGE WITH EDO | FAST PAGE WITH EDO |
| 最长访问时间 | 60 ns | 60 ns | 70 ns | 70 ns |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-N168 | R-XDMA-N168 | R-XDMA-N168 | R-XDMA-N168 |
| 内存密度 | 67108864 bit | 67108864 bit | 67108864 bit | 67108864 bit |
| 内存集成电路类型 | EDO DRAM MODULE | EDO DRAM MODULE | EDO DRAM MODULE | EDO DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 64 | 64 | 64 | 64 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 168 | 168 | 168 | 168 |
| 字数 | 1048576 words | 1048576 words | 1048576 words | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 | 1000000 | 1000000 | 1000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 1MX64 | 1MX64 | 1MX64 | 1MX64 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIMM | DIMM | DIMM | DIMM |
| 封装等效代码 | DIMM168 | DIMM168 | DIMM168 | DIMM168 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 电源 | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 刷新周期 | 1024 | 1024 | 1024 | 1024 |
| 座面最大高度 | 25.4 mm | 25.4 mm | 25.4 mm | 25.4 mm |
| 自我刷新 | YES | NO | NO | YES |
| 最大待机电流 | 0.0006 A | 0.004 A | 0.004 A | 0.0006 A |
| 最大压摆率 | 0.68 mA | 0.68 mA | 0.6 mA | 0.6 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 厂商名称 | Hitachi （Renesas ） | - | Hitachi （Renesas ） | Hitachi （Renesas ） |
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