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RN1242A

产品描述TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-4E1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小100KB,共3页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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RN1242A概述

TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-4E1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

RN1242A规格参数

参数名称属性值
包装说明2-4E1A, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.3 A
最小直流电流增益 (hFE)200
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.3 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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RN1241~RN1244
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1241,RN1242,RN1243,RN1244
For Muting and Switching Applications
High emitter-base voltage
: V
EBO
= 25v (min)
High reverse hfe
: reverse h
FE
= 150 (typ.) (V
CE
=
−2V,
I
C
=
−4ma)
Low on resistance
: R
ON
= 1Ω (typ.) (I
B
= 5mA)
With built-in bias resistors
Simplify circuit design
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
Unit: mm
Equivalent Circuit
JEDEC
EIAJ
TOSHIBA
Weight: 0.13g
2-4E1A
Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
°
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
c
P
c
T
j
T
stg
Rating
50
20
25
300
300
150
−55~150
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
1
2001-06-07

RN1242A相似产品对比

RN1242A RN1242B RN1244B RN1243A RN1243B RN1244A
描述 TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-4E1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-4E1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-4E1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-4E1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-4E1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-4E1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal
包装说明 2-4E1A, 3 PIN IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3
针数 3 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 0.3 A 0.3 A 0.3 A 0.3 A 0.3 A 0.3 A
最小直流电流增益 (hFE) 200 350 350 200 350 200
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.3 W 0.3 W 0.3 W 0.3 W 0.3 W 0.3 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1 1 - -
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