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JANJ2N3057A

产品描述Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-46, Metal, 3 Pin,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小45KB,共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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JANJ2N3057A概述

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-46, Metal, 3 Pin,

JANJ2N3057A规格参数

参数名称属性值
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)50
JEDEC-95代码TO-46
JESD-30 代码O-MBCY-W3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500/391
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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Data Sheet No. 2N3057A
Type 2N3057A
Geometry
4500
Polarity NPN
Qual Level: JAN - JANS
Features:
General-purpose transistor for
switching and amplifier applica-
tons.
Housed in a
TO-46
case.
Also available in chip form using
the
4500
chip geometry.
The Min and Max limits shown are
per
MIL-PRF-19500/391
which
Semicoa meets in all cases.
Radiation Graphs available.
Generic Part Number:
2N3057A
REF: MIL-PRF-19500/391
TO-46
Maximum Ratings
T
C
= 25
o
C unless otherwise specified
Rating
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current, Continuous
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
T
STG
Rating
80
140
7.0
1.0
-55 to +175
-55 to +175
Unit
V
V
V
mA
o
C
C
o

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JANJ2N3057A
描述 Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-46, Metal, 3 Pin,
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
最大集电极电流 (IC) 1 A
集电极-发射极最大电压 80 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 50
JEDEC-95代码 TO-46
JESD-30 代码 O-MBCY-W3
元件数量 1
端子数量 3
封装主体材料 METAL
封装形状 ROUND
封装形式 CYLINDRICAL
极性/信道类型 NPN
认证状态 Not Qualified
参考标准 MIL-19500/391
表面贴装 NO
端子形式 WIRE
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晶体管元件材料 SILICON
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