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HYB25DC256160CE-5

产品描述DDR DRAM, 16MX16, 0.5ns, CMOS, PDSO66, GREEN, PLASTIC, TSOP2-66
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文件大小3MB,共91页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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HYB25DC256160CE-5概述

DDR DRAM, 16MX16, 0.5ns, CMOS, PDSO66, GREEN, PLASTIC, TSOP2-66

HYB25DC256160CE-5规格参数

参数名称属性值
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码TSOP2
包装说明TSSOP,
针数66
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.5 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PDSO-G66
长度22.22 mm
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量66
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.5 V
标称供电电压 (Vsup)2.6 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm
Base Number Matches1

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Data Sheet, Rev. 1.30, Nov. 2005
HYB25DC256160C[E/F/T]
HYB25DC256800C[E/F]
256 Mbit Double-Data-Rate SDRAM
DDR SDRAM
RoHS Compliant
Memory Products
N e v e r
s t o p
t h i n k i n g .

HYB25DC256160CE-5相似产品对比

HYB25DC256160CE-5 HYB25DC256160CE-6 HYB25DC256800CF-5 HYB25DC256160CF-6 28B1225-300 HYB25DC256800CE-5 HYB25DC256160CF-5
描述 DDR DRAM, 16MX16, 0.5ns, CMOS, PDSO66, GREEN, PLASTIC, TSOP2-66 DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, GREEN, PLASTIC, TSOP2-66 DDR DRAM, 32MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12 MM, GREEN, PLASTIC, TFBGA-60 DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12 MM, GREEN, PLASTIC, TFBGA-60 this print is the property of laird tech DDR DRAM, 32MX8, 0.5ns, CMOS, PDSO66, GREEN, PLASTIC, TSOP2-66 DDR DRAM, 16MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12 MM, GREEN, PLASTIC, TFBGA-60
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) - - Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
零件包装代码 TSOP2 TSOP2 BGA BGA - TSOP2 BGA
包装说明 TSSOP, TSSOP, TBGA, TBGA, - TSSOP, TBGA,
针数 66 66 60 60 - 66 60
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown - unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST - FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.5 ns 0.7 ns 0.5 ns 0.7 ns - 0.5 ns 0.5 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH - AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-PDSO-G66 R-PDSO-G66 R-PBGA-B60 R-PBGA-B60 - R-PDSO-G66 R-PBGA-B60
长度 22.22 mm 22.22 mm 12 mm 12 mm - 22.22 mm 12 mm
内存密度 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit - 268435456 bit 268435456 bi
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM - DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 16 16 8 16 - 8 16
功能数量 1 1 1 1 - 1 1
端口数量 1 1 1 1 - 1 1
端子数量 66 66 60 60 - 66 60
字数 16777216 words 16777216 words 33554432 words 16777216 words - 33554432 words 16777216 words
字数代码 16000000 16000000 32000000 16000000 - 32000000 16000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C - 70 °C 70 °C
组织 16MX16 16MX16 32MX8 16MX16 - 32MX8 16MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSSOP TSSOP TBGA TBGA - TSSOP TBGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE - SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm - 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 YES YES YES YES - YES YES
最大供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V - 2.7 V 2.7 V
最小供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.3 V 2.5 V 2.3 V - 2.5 V 2.5 V
标称供电电压 (Vsup) 2.6 V 2.5 V 2.6 V 2.5 V - 2.6 V 2.6 V
表面贴装 YES YES YES YES - YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS - CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL - COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 GULL WING GULL WING BALL BALL - GULL WING BALL
端子节距 0.65 mm 0.65 mm 1 mm 1 mm - 0.65 mm 1 mm
端子位置 DUAL DUAL BOTTOM BOTTOM - DUAL BOTTOM
宽度 10.16 mm 10.16 mm 8 mm 8 mm - 10.16 mm 8 mm
Base Number Matches 1 1 1 1 - - -
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