DDR DRAM, 256MX64, 0.4ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
| 零件包装代码 | MODULE |
| 包装说明 | DIMM, DIMM200,24 |
| 针数 | 200 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Is Samacsys | N |
| 访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 0.4 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 400 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-N200 |
| 内存密度 | 17179869184 bit |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM |
| 内存宽度 | 64 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 200 |
| 字数 | 268435456 words |
| 字数代码 | 256000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 95 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 256MX64 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIMM |
| 封装等效代码 | DIMM200,24 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 1.8 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 8192 |
| 自我刷新 | YES |
| 最大待机电流 | 0.24 A |
| 最大压摆率 | 2.56 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 0.6 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches | 1 |
| M470T5663RZ3-CF7 | M470T2863RZ3-CF7 | M470T5663RZ3-CE6 | M470T2863RZ3-CE6 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | DDR DRAM, 256MX64, 0.4ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 | DDR DRAM, 128MX64, 0.45ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 | DDR DRAM, 256MX64, 0.4ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 | DDR DRAM, 128MX64, 0.45ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) |
| 零件包装代码 | MODULE | MODULE | MODULE | MODULE |
| 包装说明 | DIMM, DIMM200,24 | DIMM, DIMM200,24 | DIMM, DIMM200,24 | DIMM, DIMM200,24 |
| 针数 | 200 | 200 | 200 | 200 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST | SINGLE BANK PAGE BURST | DUAL BANK PAGE BURST | SINGLE BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 0.4 ns | 0.45 ns | 0.4 ns | 0.45 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 400 MHz | 400 MHz | 333 MHz | 333 MHz |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-N200 | R-XDMA-N200 | R-XDMA-N200 | R-XDMA-N200 |
| 内存密度 | 17179869184 bit | 8589934592 bit | 17179869184 bit | 8589934592 bi |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM | DDR DRAM | DDR DRAM | DDR DRAM |
| 内存宽度 | 64 | 64 | 64 | 64 |
| 湿度敏感等级 | 3 | 3 | 3 | 3 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 200 | 200 | 200 | 200 |
| 字数 | 268435456 words | 134217728 words | 268435456 words | 134217728 words |
| 字数代码 | 256000000 | 128000000 | 256000000 | 128000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 95 °C | 95 °C | 95 °C | 95 °C |
| 组织 | 256MX64 | 128MX64 | 256MX64 | 128MX64 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIMM | DIMM | DIMM | DIMM |
| 封装等效代码 | DIMM200,24 | DIMM200,24 | DIMM200,24 | DIMM200,24 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 | 260 | 260 |
| 电源 | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 刷新周期 | 8192 | 8192 | 8192 | 8192 |
| 自我刷新 | YES | YES | YES | YES |
| 最大压摆率 | 2.56 mA | 2.28 mA | 2.4 mA | 2.12 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V | 1.9 V | 1.9 V | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | OTHER | OTHER | OTHER | OTHER |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子节距 | 0.6 mm | 0.6 mm | 0.6 mm | 0.6 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
