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M470T2863RZ3-CF7

产品描述DDR DRAM, 128MX64, 0.45ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
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文件大小293KB,共17页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
标准
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M470T2863RZ3-CF7概述

DDR DRAM, 128MX64, 0.45ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-200

M470T2863RZ3-CF7规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码MODULE
包装说明DIMM, DIMM200,24
针数200
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间0.45 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)400 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N200
内存密度8589934592 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度64
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量1
端子数量200
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度95 °C
最低工作温度
组织128MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM200,24
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
自我刷新YES
最大压摆率2.28 mA
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式NO LEAD
端子节距0.6 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

M470T2863RZ3-CF7相似产品对比

M470T2863RZ3-CF7 M470T5663RZ3-CF7 M470T5663RZ3-CE6 M470T2863RZ3-CE6
描述 DDR DRAM, 128MX64, 0.45ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 DDR DRAM, 256MX64, 0.4ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 DDR DRAM, 256MX64, 0.4ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 DDR DRAM, 128MX64, 0.45ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
零件包装代码 MODULE MODULE MODULE MODULE
包装说明 DIMM, DIMM200,24 DIMM, DIMM200,24 DIMM, DIMM200,24 DIMM, DIMM200,24
针数 200 200 200 200
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 SINGLE BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.45 ns 0.4 ns 0.4 ns 0.45 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 400 MHz 400 MHz 333 MHz 333 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N200 R-XDMA-N200 R-XDMA-N200 R-XDMA-N200
内存密度 8589934592 bit 17179869184 bit 17179869184 bit 8589934592 bi
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 64 64 64 64
湿度敏感等级 3 3 3 3
功能数量 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1
端子数量 200 200 200 200
字数 134217728 words 268435456 words 268435456 words 134217728 words
字数代码 128000000 256000000 256000000 128000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 95 °C 95 °C 95 °C 95 °C
组织 128MX64 256MX64 256MX64 128MX64
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM200,24 DIMM200,24 DIMM200,24 DIMM200,24
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260
电源 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192 8192
自我刷新 YES YES YES YES
最大压摆率 2.28 mA 2.56 mA 2.4 mA 2.12 mA
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 OTHER OTHER OTHER OTHER
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 0.6 mm 0.6 mm 0.6 mm 0.6 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

 
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