NE960R200-A,NE960R200-A pdf中文资料,NE960R200-A引脚图,NE960R200-A电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> NE960R200-A

NE960R200-A: 产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, DIE-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小93KB，共8页; 制造商NEC(日电); 标准

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NE960R200-A概述

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, DIE-3

NE960R200-A规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	NEC(日电)
包装说明	DIE-3
Reach Compliance Code	compliant
Is Samacsys	N
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	9 V
最大漏极电流 (ID)	0.35 A
FET 技术	METAL SEMICONDUCTOR
最高频带	KU BAND
JESD-30 代码	R-XUUC-N3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	DEPLETION MODE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	NO LEAD
端子位置	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	10
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches	1

NE960R200-A相似产品对比

	NE960R200-A	2N6532	NE960R200	NE960R275
描述	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, DIE-3	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, DIE-3	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, 75, 2 PIN
是否Rohs认证	符合	-	不符合	不符合
厂商名称	NEC(日电)	-	NEC(日电)	NEC(日电)
包装说明	DIE-3	-	DIE-3	HERMETIC SEALED, CERAMIC, 75, 2 PIN
Reach Compliance Code	compliant	-	compliant	compliant
配置	SINGLE	-	SINGLE	SINGLE
最小漏源击穿电压	9 V	-	9 V	9 V
最大漏极电流 (ID)	0.35 A	-	0.35 A	0.35 A
FET 技术	METAL SEMICONDUCTOR	-	METAL SEMICONDUCTOR	METAL SEMICONDUCTOR
最高频带	KU BAND	-	KU BAND	KU BAND
JESD-30 代码	R-XUUC-N3	-	R-XUUC-N3	R-CDFM-F2
元件数量	1	-	1	1
端子数量	3	-	3	2
工作模式	DEPLETION MODE	-	DEPLETION MODE	DEPLETION MODE
封装主体材料	UNSPECIFIED	-	UNSPECIFIED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	UNCASED CHIP	-	UNCASED CHIP	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	260	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	-	N-CHANNEL	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	-	YES	YES
端子形式	NO LEAD	-	NO LEAD	FLAT
端子位置	UPPER	-	UPPER	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	10	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER	-	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	GALLIUM ARSENIDE	-	GALLIUM ARSENIDE	GALLIUM ARSENIDE

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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