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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> NE960R200

NE960R200: 产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, DIE-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小93KB，共8页; 制造商NEC(日电)

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NE960R200概述

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, DIE-3

NE960R200规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	NEC(日电)
包装说明	DIE-3
Reach Compliance Code	compliant
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	9 V
最大漏极电流 (ID)	0.35 A
FET 技术	METAL SEMICONDUCTOR
最高频带	KU BAND
JESD-30 代码	R-XUUC-N3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	DEPLETION MODE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN LEAD
端子形式	NO LEAD
端子位置	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	GALLIUM ARSENIDE

NE960R200相似产品对比

	NE960R200	NE960R200-A	2N6532	NE960R275
描述	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, DIE-3	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, DIE-3	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, 75, 2 PIN
是否Rohs认证	不符合	符合	-	不符合
厂商名称	NEC(日电)	NEC(日电)	-	NEC(日电)
包装说明	DIE-3	DIE-3	-	HERMETIC SEALED, CERAMIC, 75, 2 PIN
Reach Compliance Code	compliant	compliant	-	compliant
配置	SINGLE	SINGLE	-	SINGLE
最小漏源击穿电压	9 V	9 V	-	9 V
最大漏极电流 (ID)	0.35 A	0.35 A	-	0.35 A
FET 技术	METAL SEMICONDUCTOR	METAL SEMICONDUCTOR	-	METAL SEMICONDUCTOR
最高频带	KU BAND	KU BAND	-	KU BAND
JESD-30 代码	R-XUUC-N3	R-XUUC-N3	-	R-CDFM-F2
元件数量	1	1	-	1
端子数量	3	3	-	2
工作模式	DEPLETION MODE	DEPLETION MODE	-	DEPLETION MODE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	-	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR
封装形式	UNCASED CHIP	UNCASED CHIP	-	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	260	-	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	-	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	-	YES
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	-	FLAT
端子位置	UPPER	UPPER	-	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	10	-	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	-	AMPLIFIER
晶体管元件材料	GALLIUM ARSENIDE	GALLIUM ARSENIDE	-	GALLIUM ARSENIDE

推荐资源

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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