NP84N055CHE-AZ,NP84N055CHE-AZ pdf中文资料,NP84N055CHE-AZ引脚图,NP84N055CHE-AZ电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> NP84N055CHE-AZ

NP84N055CHE-AZ: 产品描述84A, 55V, 0.0073ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小78KB，共8页; 制造商Renesas(瑞萨电子); 官网地址https://www.renesas.com/; 标准

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NP84N055CHE-AZ概述

84A, 55V, 0.0073ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN

NP84N055CHE-AZ规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码	TO-220AB
包装说明	MP-25, 3 PIN
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
雪崩能效等级（Eas）	441 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	84 A
最大漏极电流 (ID)	84 A
最大漏源导通电阻	0.0073 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	200 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	336 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

NP84N055CHE-AZ相似产品对比

	NP84N055CHE-AZ	NP84N055CHE	NP84N055EHE	NP84N055DHE	NP84N055DHE-AZ
描述	84A, 55V, 0.0073ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN	84A, 55V, 0.0073ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN	84A, 55V, 0.0073ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, MP-25ZJ, 3 PIN	84A, 55V, 0.0073ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, TO-262, MP-25 FIN CUT, 3 PIN	84A, 55V, 0.0073ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, TO-262, MP-25 FIN CUT, 3 PIN
是否Rohs认证	符合	不符合	不符合	不符合	符合
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码	TO-220AB	TO-220AB	D2PAK	TO-262AA	TO-262AA
包装说明	MP-25, 3 PIN	MP-25, 3 PIN	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	IN-LINE, R-PSIP-T3	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数	3	3	4	3	3
Reach Compliance Code	compliant	unknown	compliant	unknown	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	441 mJ	441 mJ	441 mJ	441 mJ	441 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	55 V	55 V	55 V	55 V	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	84 A	84 A	84 A	84 A	84 A
最大漏极电流 (ID)	84 A	84 A	84 A	84 A	84 A
最大漏源导通电阻	0.0073 Ω	0.0073 Ω	0.0073 Ω	0.0073 Ω	0.0073 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB	TO-220AB	TO-263AB	TO-262AA	TO-262AA
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSSO-G2	R-PSIP-T3	R-PSIP-T3
元件数量	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	2	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	SMALL OUTLINE	IN-LINE	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	260
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	200 W	200 W	200 W	200 W	200 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	336 A	336 A	336 A	336 A	336 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	YES	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	GULL WING	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
是否无铅	-	含铅	含铅	含铅	-
JESD-609代码	-	e0	e0	e0	-
端子面层	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn/Pb)	-

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