1N5831: 产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 25A, 35V V(RRM), Silicon, DO-4,; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小107KB，共3页; 制造商Micro Commercial Components (MCC)

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1N5831概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 25A, 35V V(RRM), Silicon, DO-4,

1N5831规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Micro Commercial Components (MCC)
包装说明	O-MUPM-D1
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
其他特性	LOW POWER LOSS
应用	EFFICIENCY
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	0.48 V
JEDEC-95代码	DO-4
JESD-30 代码	O-MUPM-D1
JESD-609代码	e0
最大非重复峰值正向电流	800 A
元件数量	1
相数	1
端子数量	1
最高工作温度	150 °C
最大输出电流	25 A
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	35 V
表面贴装	NO
技术	SCHOTTKY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	SOLDER LUG
端子位置	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

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MCC

Features

•

omponents

21201 Itasca Street Chatsworth

!"#

$ % !"#

1N5829

thru

1N5831

Amp

Schottky

Barrier

Rectifier

20 to 35

Volts

DO-4

Metal of siliconrectifier, majonty carrier conducton

Guard ring for transient protection

Low power loss high efficiency

High surge capacity, High current capability

Maximum Ratings

•

Operating Temperature: -65°C to +150°C

Storage Temperature: -65°C to +150°C

Maximum

Recurrent

Peak Reverse

Voltage

20V

25V

35V

Maximum DC

Blocking

Voltage

20V

25V

35V

MCC

Part Number

1N5829

1N5830

1N5831

Maximum

RMS Voltage

14V

17.5V

24.5V

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

Average Forward

Current

Peak Forward Surge

Current

Maximum

Instantaneous

Forward Voltage

1N5829

1N5830

1N5831

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

F(AV)

FSM

800A

85°C

8.3ms, half sine

DIMENSIONS

.44V

125°C

.46V

.48V

DIM

INCH

MIN

10-32 UNF3A

.424

-----

.600

.422

.075

-----

.163

-----

.020

.060

MAX

Threads

.437

.505

.800

.453

.175

.405

.189

.310

.350

.065

.100

MIN

MAX

Standard

Polarity

10.77

11.10

-----

12.82

15.24

20.32

10.72

11.50

1.91

4.44

-----

10.29

4.15

4.80

-----

7.87

-----

0.51

1.53

8.89

1.65

2.54

NOTE

20mA

= 25°C

∅

*Pulse Test: Pulse Width 300µsec, Duty Cycle 1%

www.mccsemi.com

1N5831相似产品对比

	1N5831	1N5830
描述	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 25A, 35V V(RRM), Silicon, DO-4,	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 25A, 25V V(RRM), Silicon, DO-4
是否Rohs认证	不符合	不符合
包装说明	O-MUPM-D1	O-MUPM-D1
Reach Compliance Code	unknown	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99
Is Samacsys	N	N
其他特性	LOW POWER LOSS	LOW POWER LOSS
应用	EFFICIENCY	EFFICIENCY
配置	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	0.48 V	0.46 V
JEDEC-95代码	DO-4	DO-4
JESD-30 代码	O-MUPM-D1	O-MUPM-D1
JESD-609代码	e0	e0
最大非重复峰值正向电流	800 A	800 A
元件数量	1	1
相数	1	1
端子数量	1	1
最高工作温度	150 °C	150 °C
最大输出电流	25 A	25 A
封装主体材料	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND
封装形式	POST/STUD MOUNT	POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	35 V	25 V
表面贴装	NO	NO
技术	SCHOTTKY	SCHOTTKY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	SOLDER LUG	SOLDER LUG
端子位置	UPPER	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1	1

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器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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