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841N254BKILF

产品描述VFQFPN-32, Tray
产品类别嵌入式处理器和控制器    微控制器和处理器   
文件大小771KB,共26页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准
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841N254BKILF在线购买

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841N254BKILF概述

VFQFPN-32, Tray

841N254BKILF规格参数

参数名称属性值
Brand NameIntegrated Device Technology
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码VFQFPN
包装说明HVQCCN,
针数32
制造商包装代码NLG32P1
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Samacsys Confidence3
Samacsys StatusReleased
Samacsys PartID232406
Samacsys Pin Count33
Samacsys Part CategoryIntegrated Circuit
Samacsys Package CategoryQuad Flat No-Lead
Samacsys Footprint Name32-pin VFQFPN
Samacsys Released Date2020-01-30 11:14:02
Is SamacsysN
其他特性ALSO OPERATES AT 3.3 V SUPPLY
JESD-30 代码S-XQCC-N32
JESD-609代码e3
长度5 mm
湿度敏感等级3
端子数量32
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出时钟频率250 MHz
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码HVQCCN
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)260
主时钟/晶体标称频率25 MHz
座面最大高度1 mm
最大供电电压2.625 V
最小供电电压2.375 V
标称供电电压2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式NO LEAD
端子节距0.5 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度5 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型CLOCK GENERATOR, OTHER
Base Number Matches1

文档解析

841N254B时钟合成器采用了IDT的第四代FemtoClock® NG技术,这项技术主要通过以下几个方面来优化时钟频率和降低相位噪声:

  1. 高钟频性能:FemtoClock® NG技术支持高达250MHz的合成时钟频率,这得益于其先进的电路设计和工艺。

  2. 低相位噪声:该技术通过优化的PLL(Phase-Locked Loop,锁相环)设计,实现了在关键频率下的低相位噪声性能。例如,在156.25MHz频率下,使用25MHz的晶体时,其随机相位抖动(RMS Phase Jitter)在1MHz至20MHz的积分范围内典型值为0.27ps,在12kHz至20MHz的范围内典型值为0.32ps。

  3. 低功耗设计:FemtoClock® NG技术在保持高性能的同时,还实现了低功耗运行。这对于延长设备的使用寿命和降低系统整体能耗非常重要。

  4. 高电源抑制比(PSNR):该技术提供了出色的电源噪声抑制能力,PSNR(Power Supply Noise Rejection)典型值为-50dB,这意味着时钟合成器能够抵抗电源线上的噪声,保持时钟信号的稳定性和准确性。

  5. 优化的电源管理:841N254B支持3.3V和2.5V的电源电压,并且具有单独的模拟电源引脚,这有助于进一步降低噪声并优化电源管理。

  6. 高电源抑制比和温度范围:设备在-40°C至85°C的宽温度范围内工作,同时保持高性能,这表明其设计考虑了不同环境下的稳定性。

  7. 小尺寸封装:841N254B采用32引脚VFQFN封装,这有助于减少物理尺寸并提高集成度,同时保持了电气性能。

通过这些特性的综合应用,FemtoClock® NG技术能够在提供高频率时钟的同时,保持低相位噪声,满足高速通信和数据传输应用中的严格要求。

841N254BKILF相似产品对比

841N254BKILF 841N254BKILFT 841N254AKILFT
描述 VFQFPN-32, Tray VFQFPN-32, Reel VFQFPN-32, Reel
Brand Name Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合
零件包装代码 VFQFPN VFQFPN VFQFPN
包装说明 HVQCCN, HVQCCN, 5 X 5 MM, 0.925 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, MO-220VHHD-2, VFQFN-32
针数 32 32 32
制造商包装代码 NLG32P1 NLG32P1 NLG32P1
Reach Compliance Code compliant compli compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 ALSO OPERATES AT 3.3 V SUPPLY ALSO OPERATES AT 3.3 V SUPPLY IT CAN ALSO OPERATES WITH 3.3V SUPPLY
JESD-30 代码 S-XQCC-N32 S-XQCC-N32 S-XQCC-N32
JESD-609代码 e3 e3 e3
长度 5 mm 5 mm 5 mm
湿度敏感等级 3 3 3
端子数量 32 32 32
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C
最大输出时钟频率 250 MHz 250 MHz 250 MHz
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 HVQCCN HVQCCN HVQCCN
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260
主时钟/晶体标称频率 25 MHz 25 MHz 25 MHz
座面最大高度 1 mm 1 mm 1 mm
最大供电电压 2.625 V 2.625 V 2.625 V
最小供电电压 2.375 V 2.375 V 2.375 V
标称供电电压 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 5 mm 5 mm 5 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型 CLOCK GENERATOR, OTHER CLOCK GENERATOR, OTHER CLOCK GENERATOR, OTHER
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) - IDT (Integrated Device Technology)
Base Number Matches 1 1 -
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