VFQFPN-32, Tray
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | Integrated Device Technology |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) |
零件包装代码 | VFQFPN |
包装说明 | HVQCCN, |
针数 | 32 |
制造商包装代码 | NLG32P1 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Samacsys Confidence | 3 |
Samacsys Status | Released |
Samacsys PartID | 232406 |
Samacsys Pin Count | 33 |
Samacsys Part Category | Integrated Circuit |
Samacsys Package Category | Quad Flat No-Lead |
Samacsys Footprint Name | 32-pin VFQFPN |
Samacsys Released Date | 2020-01-30 11:14:02 |
Is Samacsys | N |
其他特性 | ALSO OPERATES AT 3.3 V SUPPLY |
JESD-30 代码 | S-XQCC-N32 |
JESD-609代码 | e3 |
长度 | 5 mm |
湿度敏感等级 | 3 |
端子数量 | 32 |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
最大输出时钟频率 | 250 MHz |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装代码 | HVQCCN |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
主时钟/晶体标称频率 | 25 MHz |
座面最大高度 | 1 mm |
最大供电电压 | 2.625 V |
最小供电电压 | 2.375 V |
标称供电电压 | 2.5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | NO LEAD |
端子节距 | 0.5 mm |
端子位置 | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 5 mm |
uPs/uCs/外围集成电路类型 | CLOCK GENERATOR, OTHER |
Base Number Matches | 1 |
841N254B时钟合成器采用了IDT的第四代FemtoClock® NG技术,这项技术主要通过以下几个方面来优化时钟频率和降低相位噪声:
高钟频性能:FemtoClock® NG技术支持高达250MHz的合成时钟频率,这得益于其先进的电路设计和工艺。
低相位噪声:该技术通过优化的PLL(Phase-Locked Loop,锁相环)设计,实现了在关键频率下的低相位噪声性能。例如,在156.25MHz频率下,使用25MHz的晶体时,其随机相位抖动(RMS Phase Jitter)在1MHz至20MHz的积分范围内典型值为0.27ps,在12kHz至20MHz的范围内典型值为0.32ps。
低功耗设计:FemtoClock® NG技术在保持高性能的同时,还实现了低功耗运行。这对于延长设备的使用寿命和降低系统整体能耗非常重要。
高电源抑制比(PSNR):该技术提供了出色的电源噪声抑制能力,PSNR(Power Supply Noise Rejection)典型值为-50dB,这意味着时钟合成器能够抵抗电源线上的噪声,保持时钟信号的稳定性和准确性。
优化的电源管理:841N254B支持3.3V和2.5V的电源电压,并且具有单独的模拟电源引脚,这有助于进一步降低噪声并优化电源管理。
高电源抑制比和温度范围:设备在-40°C至85°C的宽温度范围内工作,同时保持高性能,这表明其设计考虑了不同环境下的稳定性。
小尺寸封装:841N254B采用32引脚VFQFN封装,这有助于减少物理尺寸并提高集成度,同时保持了电气性能。
通过这些特性的综合应用,FemtoClock® NG技术能够在提供高频率时钟的同时,保持低相位噪声,满足高速通信和数据传输应用中的严格要求。
841N254BKILF | 841N254BKILFT | 841N254AKILFT | |
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描述 | VFQFPN-32, Tray | VFQFPN-32, Reel | VFQFPN-32, Reel |
Brand Name | Integrated Device Technology | Integrated Device Technology | Integrated Device Technology |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
零件包装代码 | VFQFPN | VFQFPN | VFQFPN |
包装说明 | HVQCCN, | HVQCCN, | 5 X 5 MM, 0.925 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, MO-220VHHD-2, VFQFN-32 |
针数 | 32 | 32 | 32 |
制造商包装代码 | NLG32P1 | NLG32P1 | NLG32P1 |
Reach Compliance Code | compliant | compli | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
其他特性 | ALSO OPERATES AT 3.3 V SUPPLY | ALSO OPERATES AT 3.3 V SUPPLY | IT CAN ALSO OPERATES WITH 3.3V SUPPLY |
JESD-30 代码 | S-XQCC-N32 | S-XQCC-N32 | S-XQCC-N32 |
JESD-609代码 | e3 | e3 | e3 |
长度 | 5 mm | 5 mm | 5 mm |
湿度敏感等级 | 3 | 3 | 3 |
端子数量 | 32 | 32 | 32 |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
最大输出时钟频率 | 250 MHz | 250 MHz | 250 MHz |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
封装代码 | HVQCCN | HVQCCN | HVQCCN |
封装形状 | SQUARE | SQUARE | SQUARE |
封装形式 | CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE | CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE | CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 | 260 |
主时钟/晶体标称频率 | 25 MHz | 25 MHz | 25 MHz |
座面最大高度 | 1 mm | 1 mm | 1 mm |
最大供电电压 | 2.625 V | 2.625 V | 2.625 V |
最小供电电压 | 2.375 V | 2.375 V | 2.375 V |
标称供电电压 | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V |
表面贴装 | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子面层 | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD |
端子节距 | 0.5 mm | 0.5 mm | 0.5 mm |
端子位置 | QUAD | QUAD | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
宽度 | 5 mm | 5 mm | 5 mm |
uPs/uCs/外围集成电路类型 | CLOCK GENERATOR, OTHER | CLOCK GENERATOR, OTHER | CLOCK GENERATOR, OTHER |
厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) | - | IDT (Integrated Device Technology) |
Base Number Matches | 1 | 1 | - |
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