APT904R2AN,APT904R2AN pdf中文资料,APT904R2AN引脚图,APT904R2AN电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> APT904R2AN

APT904R2AN: 产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小213KB，共4页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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APT904R2AN概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

APT904R2AN规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Microsemi
包装说明	,
Reach Compliance Code	compliant
配置	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)	3.5 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	150 W
表面贴装	NO

APT904R2AN相似产品对比

	APT904R2AN	APT904R4AN	APT1004R4AN	APT1004RAN	APT904RAN
描述	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,	3.5A, 900V, 4.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA, TO-3, 3 PIN	3.5 A, 1000 V, 4.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA, TO-3, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
厂商名称	Microsemi	Microsemi	Microsemi	Microsemi	Microsemi
Reach Compliance Code	compliant	unknown	unknown	compliant	compliant
配置	Single	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	Single	Single
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
最大漏极电流 (Abs) (ID)	3.5 A	-	-	3.9 A	3.9 A
最高工作温度	150 °C	-	-	150 °C	150 °C
最大功率耗散 (Abs)	150 W	-	-	150 W	150 W
零件包装代码	-	TO-3	TO-3	TO-3	TO-3
针数	-	2	2	2	2

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