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IS61S6432N-133BI: 产品描述Cache SRAM, 64KX32, 5ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119; 产品类别存储; 文件大小132KB，共16页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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IS61S6432N-133BI概述

Cache SRAM, 64KX32, 5ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119

IS61S6432N-133BI规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	BGA
包装说明	PLASTIC, BGA-119
针数	119
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
Is Samacsys	N
最长访问时间	5 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e0
长度	22 mm
内存密度	2097152 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	32
功能数量	1
端子数量	119
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	64KX32
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	2.41 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.63 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	1.27 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

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IS61S6432N

64K x 32 SYNCHRONOUS

PIPELINE STATIC RAM

FEATURES

• Internal self-timed write cycle

• Individual Byte Write Control and Global Write

• Clock controlled, registered address, data and

control

• Interleaved or linear burst sequence control

using MODE input

• Three chip enables for simple depth expansion

and address pipelining

• Common data inputs and data outputs

• Power-down control by ZZ input

• Single +3.3V power supply

• Two Clock enables and one Clock disable to

eliminate multiple bank bus contention

• Control pins mode upon power-up:

– MODE in interleave burst mode

– ZZ in normal operation mode

These control pins can be connected to GNDQ

or VCCQ to alter their power-up state

• Industrial temperature available

• JEDEC 100-Pin TQFP and 119 Ball BGA pack-

ages

ISSI

PRELIMINARY INFORMATION

JANUARY 2002

DESCRIPTION

The

ISSI

IS61S6432N is a high-speed, low-power

synchronous static RAM designed to provide a burstable,

high-performance memory. It is organized as 65,536 words

by 32 bits, fabricated with

ISSI

's advanced CMOS

technology. The device integrates a 2-bit burst counter,

high-speed SRAM core, and high-drive capability outputs

into a single monolithic circuit. All synchronous inputs pass

through registers controlled by a positive-edge-triggered

single clock input.

Write cycles are internally self-timed and are initiated by the

rising edge of the clock input. Write cycles can be from one

to four bytes wide as controlled by the write control inputs.

Separate byte enables allow individual bytes to be written.

BW1

controls DQ1-DQ8,

BW2

controls DQ9-DQ16,

BW3

controls DQ17-DQ24,

BW4

controls DQ25-DQ32,

conditioned by

BWE

being LOW. A LOW on

input would

cause all bytes to be written.

Bursts can be initiated with either

ADSP

(Address Status

Processor) or

ADSC

(Address Status Cache Controller)

input pins. Subsequent burst addresses can be generated

internally by the IS61S6432N and controlled by the

ADV

(burst address advance) input pin.

Asynchronous signals include output enable (OE), sleep

mode input (ZZ), clock (CLK) and burst mode input (MODE).

A HIGH input on the ZZ pin puts the SRAM in the power-

down state. When ZZ is pulled LOW (or no connect), the

SRAM normally operates after three cycles of the wake-up

period. A LOW input, i.e., GND

, on MODE pin selects

LINEAR Burst. A V

CCQ

(or no connect) on MODE pin selects

INTERLEAVED Burst.

FAST ACCESS TIME

Symbol

—

Parameter

CLK Access Time

Cycle Time

Frequency

-133

7.5

133

-5

100

Unit

MHz

This document contains PRELIMINARY INFORMATION data. ISSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the best

Integrated Silicon Solution, Inc. • 1-800-379-4774

PRELIMINARY INFORMATION

01/31/02

Rev.

00A

IS61S6432N-133BI相似产品对比

	IS61S6432N-133BI	IS61S6432N-5TQI	IS61S6432N-133B	IS61S6432N-133TQ	IS61S6432N-133TQI	IS61S6432N-5B	IS61S6432N-5BI	IS61S6432N-5TQ
描述	Cache SRAM, 64KX32, 5ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119	Cache SRAM, 64KX32, 5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100	Cache SRAM, 64KX32, 5ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119	Cache SRAM, 64KX32, 5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100	Cache SRAM, 64KX32, 5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100	Cache SRAM, 64KX32, 5ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119	Cache SRAM, 64KX32, 5ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119	Cache SRAM, 64KX32, 5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	BGA	QFP	BGA	QFP	QFP	BGA	BGA	QFP
包装说明	PLASTIC, BGA-119	TQFP-100	PLASTIC, BGA-119	TQFP-100	TQFP-100	PLASTIC, BGA-119	PLASTIC, BGA-119	TQFP-100
针数	119	100	119	100	100	119	119	100
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compli
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	5 ns	5 ns	5 ns	5 ns	5 ns	5 ns	5 ns	5 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B119	R-PQFP-G100	R-PBGA-B119	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	22 mm	20 mm	22 mm	20 mm	20 mm	22 mm	22 mm	20 mm
内存密度	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bi
内存集成电路类型	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM
内存宽度	32	32	32	32	32	32	32	32
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	119	100	119	100	100	119	119	100
字数	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words
字数代码	64000	64000	64000	64000	64000	64000	64000	64000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	70 °C	70 °C	85 °C	70 °C	85 °C	70 °C
组织	64KX32	64KX32	64KX32	64KX32	64KX32	64KX32	64KX32	64KX32
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	LQFP	BGA	LQFP	LQFP	BGA	BGA	LQFP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	FLATPACK, LOW PROFILE	GRID ARRAY	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	GRID ARRAY	GRID ARRAY	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240	240	240	240	240	240	240	240
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	2.41 mm	1.6 mm	2.41 mm	1.6 mm	1.6 mm	2.41 mm	2.41 mm	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL	GULL WING	BALL	GULL WING	GULL WING	BALL	BALL	GULL WING
端子节距	1.27 mm	0.65 mm	1.27 mm	0.65 mm	0.65 mm	1.27 mm	1.27 mm	0.65 mm
端子位置	BOTTOM	QUAD	BOTTOM	QUAD	QUAD	BOTTOM	BOTTOM	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30	30	30	30	30
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm

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