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HB56D172EJ-7C: 产品描述Fast Page DRAM Module, 1MX72, 70ns, CMOS, DIMM-168; 产品类别存储; 文件大小122KB，共14页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

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HB56D172EJ-7C概述

Fast Page DRAM Module, 1MX72, 70ns, CMOS, DIMM-168

HB56D172EJ-7C规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM168
针数	168
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
访问模式	FAST PAGE
最长访问时间	70 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N168
内存密度	75497472 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度	72
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	168
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX72
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM168
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	1024
座面最大高度	25.4 mm
最大待机电流	0.084 A
最大压摆率	1.944 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
Base Number Matches	1

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HB56D172EJ Series

1,048,576-word

72-bit High Density Dynamic RAM Module

ADE-203-

Rev. 0.0

Dec. 1, 1995

Description

The HB56D172EJ belongs to 8 byte DIMM (Dual In-line Memory Module) family, and has been

developed as an optimized main memory solution for 4 and 8 byte processor applications.

The HB56D172EJ is a 1 M

72 dynamic RAM module, mounted 16 pieces of 4-Mbit DRAM

(HM514400CS) sealed in SOJ package and 4 pieces of 2-Mbit DRAM (HM512200BS) sealed in SOJ

package and 2 pieces of 16-bit BiCMOS line driver (74ABT16244) sealed in TSSOP package. An

outline of the HB56D172EJ is 168-pin socket type package (dual lead out). Therefore, the HB56D172EJ

makes high density mounting possible without surface mount technology. The HB56D172EJ provides

common data inputs and outputs. Decoupling capacitors are mounted beneath each SOJ on the module

board.

Features

•

168-pin socket type package (Dual lead out)

— Lead pitch: 1.27 mm

Single 5 V (±5%) supply

High speed

— Access time: t

RAC

= 60/70/80 ns (max)

— Access time: t

CAC

= 20/25/25 ns (max)

Low power dissipation

— Active mode: 11.26/10.21/9.16 W (max)

— Standby mode: 546 mW (max)

Buffered input except

RAS

and DQ

4 byte interleave enabled, dual address input (A0/B0)

Fast page mode capability

1,024 refresh cycle: 16 ms

2 variations of refresh

—

RAS

-only refresh

—

CAS

-before-

RAS

refresh

TTL compatible

•

HB56D172EJ-7C相似产品对比

	HB56D172EJ-7C	HB56D172EJ-6C	HB56D172EJ-8C
描述	Fast Page DRAM Module, 1MX72, 70ns, CMOS, DIMM-168	Fast Page DRAM Module, 1MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168	Fast Page DRAM Module, 1MX72, 80ns, CMOS, DIMM-168
零件包装代码	DIMM	DIMM	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168
针数	168	168	168
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE
最长访问时间	70 ns	60 ns	80 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168
内存密度	75497472 bit	75497472 bit	75497472 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度	72	72	72
功能数量	1	1	1
端口数量	1	1	1
端子数量	168	168	168
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C
组织	1MX72	1MX72	1MX72
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM168	DIMM168	DIMM168
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	1024	1024	1024
座面最大高度	25.4 mm	25.4 mm	25.4 mm
最大待机电流	0.084 A	0.084 A	0.084 A
最大压摆率	1.944 mA	2.144 mA	1.744 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.25 V	5.25 V	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)	4.75 V	4.75 V	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
厂商名称	Hitachi （Renesas ）	-	Hitachi （Renesas ）
Base Number Matches	1	1	-

HB56D172EJ-7C

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