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HB56D172EJ-6C

产品描述Fast Page DRAM Module, 1MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168
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文件大小122KB,共14页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HB56D172EJ-6C概述

Fast Page DRAM Module, 1MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168

HB56D172EJ-6C规格参数

参数名称属性值
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM168
针数168
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N168
内存密度75497472 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度72
功能数量1
端口数量1
端子数量168
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX72
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM168
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
座面最大高度25.4 mm
最大待机电流0.084 A
最大压摆率2.144 mA
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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HB56D172EJ Series
1,048,576-word
×
72-bit High Density Dynamic RAM Module
ADE-203-
Rev. 0.0
Dec. 1, 1995
Description
The HB56D172EJ belongs to 8 byte DIMM (Dual In-line Memory Module) family, and has been
developed as an optimized main memory solution for 4 and 8 byte processor applications.
The HB56D172EJ is a 1 M
×
72 dynamic RAM module, mounted 16 pieces of 4-Mbit DRAM
(HM514400CS) sealed in SOJ package and 4 pieces of 2-Mbit DRAM (HM512200BS) sealed in SOJ
package and 2 pieces of 16-bit BiCMOS line driver (74ABT16244) sealed in TSSOP package. An
outline of the HB56D172EJ is 168-pin socket type package (dual lead out). Therefore, the HB56D172EJ
makes high density mounting possible without surface mount technology. The HB56D172EJ provides
common data inputs and outputs. Decoupling capacitors are mounted beneath each SOJ on the module
board.
Features
168-pin socket type package (Dual lead out)
— Lead pitch: 1.27 mm
Single 5 V (±5%) supply
High speed
— Access time: t
RAC
= 60/70/80 ns (max)
— Access time: t
CAC
= 20/25/25 ns (max)
Low power dissipation
— Active mode: 11.26/10.21/9.16 W (max)
— Standby mode: 546 mW (max)
Buffered input except
RAS
and DQ
4 byte interleave enabled, dual address input (A0/B0)
Fast page mode capability
1,024 refresh cycle: 16 ms
2 variations of refresh
RAS
-only refresh
CAS
-before-
RAS
refresh
TTL compatible

HB56D172EJ-6C相似产品对比

HB56D172EJ-6C HB56D172EJ-7C HB56D172EJ-8C
描述 Fast Page DRAM Module, 1MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168 Fast Page DRAM Module, 1MX72, 70ns, CMOS, DIMM-168 Fast Page DRAM Module, 1MX72, 80ns, CMOS, DIMM-168
零件包装代码 DIMM DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168
针数 168 168 168
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE
最长访问时间 60 ns 70 ns 80 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168
内存密度 75497472 bit 75497472 bit 75497472 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度 72 72 72
功能数量 1 1 1
端口数量 1 1 1
端子数量 168 168 168
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 1MX72 1MX72 1MX72
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM168 DIMM168 DIMM168
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 1024 1024 1024
座面最大高度 25.4 mm 25.4 mm 25.4 mm
最大待机电流 0.084 A 0.084 A 0.084 A
最大压摆率 2.144 mA 1.944 mA 1.744 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.25 V 5.25 V 5.25 V
最小供电电压 (Vsup) 4.75 V 4.75 V 4.75 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1 -
厂商名称 - Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas )
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