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XP151A13A0MR

产品描述漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1A 栅源极阈值电压:- 漏源导通电阻:100mΩ @ 500mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道 N沟道
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小303KB,共5页
制造商TOREX(特瑞仕)
官网地址http://www.torex.co.jp/chinese/
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XP151A13A0MR概述

漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1A 栅源极阈值电压:- 漏源导通电阻:100mΩ @ 500mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道 N沟道

XP151A13A0MR规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)1A
漏源导通电阻100mΩ @ 500mA,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)500mW
类型N沟道

XP151A13A0MR相似产品对比

XP151A13A0MR XP151A13A0MR-G
描述 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1A 栅源极阈值电压:- 漏源导通电阻:100mΩ @ 500mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道 N沟道 MOSFET

 
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