XP151A13A0MR-G,XP151A13A0MR-G pdf中文资料,XP151A13A0MR-G引脚图,XP151A13A0MR-G电路-Datasheet-电子工程世界

XP151A13A0MR-G: 产品描述MOSFET; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小303KB，共5页; 制造商TOREX(特瑞仕); 官网地址http://www.torex.co.jp/chinese/

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XP151A13A0MR-G在线购买

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MOSFET

参数名称	属性值
产品种类 Product Category	MOSFET
制造商 Manufacturer	TOREX(特瑞仕)
RoHS	Details
技术 Technology	Si
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	SOT-23-3
Number of Channels	1 Channel
Transistor Polarity	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Id - Continuous Drain Current	1 A
Rds On - Drain-Source Resistance	250 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	500 mV
Vgs - Gate-Source Voltage	8 V
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 55 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Configuration	Single
Channel Mode	Enhancement
系列 Packaging	MouseReel
系列 Packaging	Cut Tape
系列 Packaging	Reel
Fall Time	65 ns
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	500 mW (1/2 W)
Rise Time	15 ns
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	3000
Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	75 ns
Typical Turn-On Delay Time	10 ns
单位重量 Unit Weight	0.000282 oz

	XP151A13A0MR-G	XP151A13A0MR
描述	MOSFET	漏源电压（Vdss）：20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1A 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：100mΩ @ 500mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：N沟道 N沟道

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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