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1.5SMC68AM6G

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 58.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, GREEN, PLASTIC, SMC, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小241KB,共6页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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1.5SMC68AM6G概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 58.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, GREEN, PLASTIC, SMC, 2 PIN

1.5SMC68AM6G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最大击穿电压71.4 V
最小击穿电压64.6 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AB
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散1500 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散6.5 W
最大重复峰值反向电压58.1 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
Base Number Matches1

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1.5SMC SERIES
1500 Watts Surface Mount Transient Voltage Suppressor
SMC/DO-214AB
Features
For surface mounted application in
order to optimize board space
Low profile package
Built-in strain relief
Glass passivated junction
Excellent clamping capability
Fast response time: Typically less
than 1.0ps from 0 volt to BV min
Typical I
R
less than 1uA above 10V
High temperature soldering guaranteed:
260℃ / 10 seconds at terminals
Meet MSL level 1, per J-STD-020,
LF maximum peak of 260℃
Plastic material used carries Underwriters
Laboratory Flammability Classification 94V-0
1500 watts peak pulse power capability with a
10 / 1000 us waveform
Green compound with suffix "G" on packing
code & prefix "G" on datecode
Mechanical Data
Case: Molded plastic
Terminals: Solder plated
Polarity: Indicated by cathode band
Standard packaging: 16mm tape
(EIA STD RS-481)
Weight: 0.21 gram
Ordering Information (example)
Part No.
1.5SMC6.8
Package
SMC
Packing
850 / 7" REEL
Packing code
R7
Packing code
(Green)
R7G
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified
Parameter
Peak Power Dissipation at T
A
=25℃, Tp=1ms(Note 1)
Power Dissipation on Intinite Heatsink, T
A
=50℃
Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single Half
Sine-wave Superimposed on Rated Load
(JEDEC method)(Note 2) - Unidirectional Only
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 50A for
Unidirectional Only (Note 3)
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
Thermal Resistance Junction to Leads
Operating and Storage Temperature Range
Note 2: Mounted on 8mm x 8mm copper pads to each terminal
Symbol
P
PK
P
D
I
FSM
Value
1500
6.5
200
Unit
Watts
Watts
Amps
V
F
R
θJA
R
θJL
T
J
, T
STG
3.5 / 5.0
50
15
-55 to +150
Volts
℃/W
℃/W
Note 1: Non-repetitive Current Pulse, Per Fig. 3 and Derated above T
A
=25℃ Per Fig. 2
Note 3: V
F
=3.5V on 1.5SMC6.8 thru 1.5SMC91 Devices and V
F
=5.0V on 1.5SMC100 thru 1.5SMC200 Devices
Devices for Bipolar Applications
1. For Bidrectional Use C or CA Suffix for Types 1.5SMC6.8 through Types 1.5SMC200A
2. Electrical Characterstics Apply in Both Directions
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