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MBR40L60CTG

产品描述直流反向耐压(Vr):60V 平均整流电流(Io):20A 正向压降(Vf):610mV @ 20A
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小81KB,共5页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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MBR40L60CTG在线购买

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MBR40L60CTG概述

直流反向耐压(Vr):60V 平均整流电流(Io):20A 正向压降(Vf):610mV @ 20A

MBR40L60CTG规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
零件包装代码TO-220AB
包装说明LEAD FREE, PLASTIC, CASE 221A-09, 3 PIN
针数3
制造商包装代码221A-09
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time2 weeks
其他特性LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.58 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流240 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流20 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压60 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1
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