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H1DF1

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小452KB,共5页
制造商扬杰科技(YANGJIE)
官网地址http://www.21yangjie.com/
标准
扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日,注册资本4.72亿元人民币。2014年1月,公司在深交所创业板挂牌上市,股票代码300373。2017年营业收入14.7亿元。 公司集研发、生产、销售于一体,专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等,产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。
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H1DF1概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon,

H1DF1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称扬杰科技(YANGJIE)
包装说明R-PDSO-F2
Reach Compliance Codecompliant
其他特性FREE WHEELING DIODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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