MJD45H11-1G,MJD45H11-1G pdf中文资料,MJD45H11-1G引脚图,MJD45H11-1G电路-Datasheet-电子工程世界

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MJD45H11-1G: 产品描述额定功率：1.75W 集电极电流Ic：8A 集射极击穿电压Vce：80V 晶体管类型：PNP PNP,Vceo=80V,Ic=8A; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小126KB，共8页; 制造商ON Semiconductor(安森美); 官网地址http://www.onsemi.cn

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MJD45H11-1G概述

额定功率：1.75W 集电极电流Ic：8A 集射极击穿电压Vce：80V 晶体管类型：PNP PNP,Vceo=80V,Ic=8A

MJD45H11-1G规格参数

参数名称	属性值
Brand Name	ON Semiconductor
是否无铅	不含铅
包装说明	ROHS COMPLIANT, DPAK-3
针数	4
制造商包装代码	369
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	1 week
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	8 A
集电极-发射极最大电压	80 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	40
JESD-30 代码	R-PSIP-T3
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	20 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	40 MHz
Base Number Matches	1

MJD45H11-1G相似产品对比

	MJD45H11-1G	MJD44H11T4G	MJD45H11T4G	MJD45H11G	MJD44H11-1G	MJD44H11G
描述	额定功率：1.75W 集电极电流Ic：8A 集射极击穿电压Vce：80V 晶体管类型：PNP PNP,Vceo=80V,Ic=8A	额定功率：1.75W 集电极电流Ic：8A 集射极击穿电压Vce：80V 晶体管类型：NPN NPN,Vceo=80V,Ic=8A	额定功率：1.75W 集电极电流Ic：8A 集射极击穿电压Vce：80V 晶体管类型：PNP P型晶体管80V/8A	额定功率：1.75W 集电极电流Ic：8A 集射极击穿电压Vce：80V 晶体管类型：PNP PNP,Vceo=80V,Ic=8A	额定功率：1.75W 集电极电流Ic：8A 集射极击穿电压Vce：80V 晶体管类型：NPN NPN,Vceo=80V,Ic=8A	额定功率：1.75W 集电极电流Ic：8A 集射极击穿电压Vce：80V 晶体管类型：NPN NPN,Vceo=80V,Ic=8A
Brand Name	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
包装说明	ROHS COMPLIANT, DPAK-3	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3	ROHS COMPLIANT, DPAK-3	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3
针数	4	3	3	3	4	3
制造商包装代码	369	369C	369C	369C	369	369C
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
Factory Lead Time	1 week	1 week	1 week	1 week	1 week	1 week
外壳连接	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	8 A	8 A	8 A	8 A	8 A	8 A
集电极-发射极最大电压	80 V	80 V	80 V	80 V	80 V	80 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	40	40	40	40	40	40
JESD-30 代码	R-PSIP-T3	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSIP-T3	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3	e3	e3	e3	e3	e3
湿度敏感等级	1	1	1	1	1	1
元件数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	2	2	2	3	2
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260
极性/信道类型	PNP	NPN	PNP	PNP	NPN	NPN
最大功率耗散 (Abs)	20 W	20 W	20 W	20 W	20 W	20 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	YES	YES	YES	NO	YES
端子面层	Tin (Sn)	Tin (Sn)	Tin (Sn)	Tin (Sn)	Tin (Sn)	Tin (Sn)
端子形式	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40	40	40	40	40
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	40 MHz	85 MHz	90 MHz	90 MHz	50 MHz	85 MHz
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1

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