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MJD45H11T4G

产品描述额定功率:1.75W 集电极电流Ic:8A 集射极击穿电压Vce:80V 晶体管类型:PNP P型晶体管80V/8A
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小126KB,共8页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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MJD45H11T4G概述

额定功率:1.75W 集电极电流Ic:8A 集射极击穿电压Vce:80V 晶体管类型:PNP P型晶体管80V/8A

MJD45H11T4G规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3
针数3
制造商包装代码369C
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
Samacsys Confidence3
Samacsys StatusReleased
Samacsys PartID225698
Samacsys Pin Count4
Samacsys Part CategoryTransistor
Samacsys Package CategoryTO-XXX (Inc. DPAK)
Samacsys Footprint NameDPAK
Samacsys Released Date2016-01-25 14:39:57
Is SamacsysN
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)8 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)20 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)90 MHz
Base Number Matches1

MJD45H11T4G相似产品对比

MJD45H11T4G MJD44H11T4G MJD45H11-1G MJD45H11G MJD44H11-1G MJD44H11G
描述 额定功率:1.75W 集电极电流Ic:8A 集射极击穿电压Vce:80V 晶体管类型:PNP P型晶体管80V/8A 额定功率:1.75W 集电极电流Ic:8A 集射极击穿电压Vce:80V 晶体管类型:NPN NPN,Vceo=80V,Ic=8A 额定功率:1.75W 集电极电流Ic:8A 集射极击穿电压Vce:80V 晶体管类型:PNP PNP,Vceo=80V,Ic=8A 额定功率:1.75W 集电极电流Ic:8A 集射极击穿电压Vce:80V 晶体管类型:PNP PNP,Vceo=80V,Ic=8A 额定功率:1.75W 集电极电流Ic:8A 集射极击穿电压Vce:80V 晶体管类型:NPN NPN,Vceo=80V,Ic=8A 额定功率:1.75W 集电极电流Ic:8A 集射极击穿电压Vce:80V 晶体管类型:NPN NPN,Vceo=80V,Ic=8A
Brand Name ON Semiconductor ON Semiconductor ON Semiconductor ON Semiconductor ON Semiconductor ON Semiconductor
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
包装说明 ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3 ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3 ROHS COMPLIANT, DPAK-3 ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3 ROHS COMPLIANT, DPAK-3 ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3
针数 3 3 4 3 4 3
制造商包装代码 369C 369C 369 369C 369 369C
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 1 week 1 week 1 week 1 week 1 week 1 week
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 8 A 8 A 8 A 8 A 8 A 8 A
集电极-发射极最大电压 80 V 80 V 80 V 80 V 80 V 80 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 40 40 40 40 40 40
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3 e3
湿度敏感等级 1 1 1 1 1 1
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 3 2 3 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260 260 260
极性/信道类型 PNP NPN PNP PNP NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 20 W 20 W 20 W 20 W 20 W 20 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES NO YES NO YES
端子面层 Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40 40 40 40 40
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 90 MHz 85 MHz 40 MHz 90 MHz 50 MHz 85 MHz
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1

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