PDTA123JT,215,PDTA123JT,215 pdf中文资料,PDTA123JT,215引脚图,PDTA123JT,215电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> PDTA123JT,215

PDTA123JT,215: 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小842KB，共18页; 制造商Nexperia; 官网地址https://www.nexperia.com

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PDTA123JT,215规格参数

参数名称	属性值
Brand Name	Nexperia
厂商名称	Nexperia
零件包装代码	TO-236
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3
制造商包装代码	SOT23
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	4 weeks
Samacsys Description	PDTA123J series - PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 47 kOhm
其他特性	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	100
JEDEC-95代码	TO-236AB
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	PNP
认证状态	Not Qualified
参考标准	AEC-Q101; IEC-60134
表面贴装	YES
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	180 MHz

PDTA123JT,215相似产品对比

	PDTA123JT,215	PDTA123JM,315	PDTA123JU,115	PDTA123JU,135	PDTA123JU/DG,115	PDTA123JE,115	PDTA123JE,135	PDTA123JTVL
描述		TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883	TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon	PDTA123J series - PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 47 kΩ SC-70 3-Pin	PDTA123J series - PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 47 kΩ SC-75 3-Pin	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon	PDTA123J series - PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 47 kΩ TO-236 3-Pin
Brand Name	Nexperia	Nexperia	Nexperia	-	Nexperia	Nexperia	-	Nexperia
厂商名称	Nexperia	Nexperia	Nexperia	-	-	Nexperia	Nexperia	Nexperia
零件包装代码	TO-236	DFN	SC-70	-	SC-70	SC-75	-	TO-236
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	CHIP CARRIER, R-PBCC-N3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	-	SC-75, 3 PIN	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3	3	3	-	3	3	-	3
制造商包装代码	SOT23	SOT883	SOT323	-	SOT323	SOT416	-	SOT23
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	-	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	-	EAR99	EAR99	-
其他特性	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21	-	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	-	0.1 A	0.1 A	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V	50 V	50 V	50 V	-	50 V	50 V	50 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	-	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	100	100	100	100	-	100	100	100
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PBCC-N3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	-	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
元件数量	1	1	1	1	-	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	-	3	3	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	CHIP CARRIER	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	NOT SPECIFIED	260	-	-	260	-	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP	PNP	-	PNP	PNP	PNP
参考标准	AEC-Q101; IEC-60134	AEC-Q101; IEC-60134	AEC-Q101; IEC-60134	AEC-Q101; IEC-60134	-	-	AEC-Q101; IEC-60134	AEC-Q101; IEC-60134
表面贴装	YES	YES	YES	YES	-	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	NO LEAD	GULL WING	GULL WING	-	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	BOTTOM	DUAL	DUAL	-	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40	NOT SPECIFIED	30	-	-	40	-	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	-	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	-	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	180 MHz	180 MHz	180 MHz	180 MHz	-	-	180 MHz	180 MHz

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