PDTA123JTVL,PDTA123JTVL pdf中文资料,PDTA123JTVL引脚图,PDTA123JTVL电路-Datasheet-电子工程世界

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PDTA123JTVL: 产品描述PDTA123J series - PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 47 kΩ TO-236 3-Pin; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小842KB，共18页; 制造商Nexperia; 官网地址https://www.nexperia.com

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PDTA123JTVL概述

PDTA123J series - PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 47 kΩ TO-236 3-Pin

PDTA123JTVL规格参数

参数名称	属性值
Brand Name	Nexperia
厂商名称	Nexperia
零件包装代码	TO-236
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3
制造商包装代码	SOT23
Reach Compliance Code	compliant
Samacsys Description	PDTA123J series - PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 47 kOhm
其他特性	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	100
JEDEC-95代码	TO-236AB
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
元件数量	1
端子数量	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP
参考标准	AEC-Q101; IEC-60134
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	180 MHz

PDTA123JTVL相似产品对比

	PDTA123JTVL	PDTA123JM,315	PDTA123JU,115	PDTA123JT,215	PDTA123JU,135	PDTA123JU/DG,115	PDTA123JE,115	PDTA123JE,135
描述	PDTA123J series - PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 47 kΩ TO-236 3-Pin	TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883	TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon	PDTA123J series - PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 47 kΩ SC-70 3-Pin	PDTA123J series - PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 47 kΩ SC-75 3-Pin	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Brand Name	Nexperia	Nexperia	Nexperia	Nexperia	-	Nexperia	Nexperia	-
厂商名称	Nexperia	Nexperia	Nexperia	Nexperia	-	-	Nexperia	Nexperia
零件包装代码	TO-236	DFN	SC-70	TO-236	-	SC-70	SC-75	-
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	CHIP CARRIER, R-PBCC-N3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	-	SC-75, 3 PIN	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3	3	3	3	-	3	3	-
制造商包装代码	SOT23	SOT883	SOT323	SOT23	-	SOT323	SOT416	-
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	-	compliant	compliant
其他特性	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21	-	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	-	0.1 A	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V	-	50 V	50 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	-	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	100	100	100	100	100	-	100	100
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PBCC-N3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	-	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
元件数量	1	1	1	1	1	-	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	-	3	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	CHIP CARRIER	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	260	260	-	-	260	-
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	-	PNP	PNP
参考标准	AEC-Q101; IEC-60134	AEC-Q101; IEC-60134	AEC-Q101; IEC-60134	AEC-Q101; IEC-60134	AEC-Q101; IEC-60134	-	-	AEC-Q101; IEC-60134
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	-	YES	YES
端子形式	GULL WING	NO LEAD	GULL WING	GULL WING	GULL WING	-	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	BOTTOM	DUAL	DUAL	DUAL	-	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	30	40	-	-	40	-
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	-	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	-	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	180 MHz	180 MHz	180 MHz	180 MHz	180 MHz	-	-	180 MHz
ECCN代码	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	-	EAR99	EAR99

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