漏源电压（Vdss）：100V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：97A 栅源极阈值电压：4V @ 150uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 58A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：230W 类型：N沟道 N沟道,100V,97A,9mΩ@10V
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 包装说明 | LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 15 weeks |
| 雪崩能效等级（Eas） | 242 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 97 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 97 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.009 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-220AB |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 250 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 230 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 390 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | MATTE TIN OVER NICKEL |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
| IRFB4410ZPBF | IRFS4410Z | IRFSL4410Z | IRFB4410Z | IRFS4410ZTRLPBF | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | 漏源电压（Vdss）：100V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：97A 栅源极阈值电压：4V @ 150uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 58A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：230W 类型：N沟道 N沟道,100V,97A,9mΩ@10V | 漏源电压（Vdss）：100V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：97A 栅源极阈值电压：4V @ 150uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 58A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：230W 类型：N沟道 N沟道 100V 97A | |||
| 是否Rohs认证 | 符合 | - | 符合 | - | 符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) | - | Infineon(英飞凌) | - | Infineon(英飞凌) |
| 包装说明 | LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3 | - | IN-LINE, R-PSIP-T3 | - | LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 |
| Reach Compliance Code | compliant | - | compliant | - | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 | - | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 242 mJ | - | 242 mJ | - | 242 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN | - | DRAIN | - | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 100 V | - | 100 V | - | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 97 A | - | 97 A | - | 97 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.009 Ω | - | 0.009 Ω | - | 0.009 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-220AB | - | TO-262AA | - | TO-263AB |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | - | R-PSIP-T3 | - | R-PSSO-G2 |
| 元件数量 | 1 | - | 1 | - | 1 |
| 端子数量 | 3 | - | 3 | - | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | - | ENHANCEMENT MODE | - | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | - | IN-LINE | - | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 250 | - | NOT SPECIFIED | - | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | - | N-CHANNEL | - | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 390 A | - | 390 A | - | 390 A |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | - | NO | - | YES |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | - | THROUGH-HOLE | - | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE | - | SINGLE | - | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | - | NOT SPECIFIED | - | 30 |
| 晶体管应用 | SWITCHING | - | SWITCHING | - | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | - | SILICON | - | SILICON |
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