电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

IRFSL4410Z

产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小346KB,共12页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

IRFSL4410Z规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)242 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)97 A
最大漏源导通电阻0.009 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-262AA
JESD-30 代码R-PSIP-T3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)390 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

IRFSL4410Z相似产品对比

IRFSL4410Z IRFS4410Z IRFB4410Z IRFB4410ZPBF IRFS4410ZTRLPBF
描述 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):97A 栅源极阈值电压:4V @ 150uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 58A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):230W 类型:N沟道 N沟道,100V,97A,9mΩ@10V 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):97A 栅源极阈值电压:4V @ 150uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 58A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):230W 类型:N沟道 N沟道 100V 97A
是否Rohs认证 符合 - - 符合 符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) - - Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 - - LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3 LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
Reach Compliance Code compliant - - compliant compliant
ECCN代码 EAR99 - - EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 242 mJ - - 242 mJ 242 mJ
外壳连接 DRAIN - - DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V - - 100 V 100 V
最大漏极电流 (ID) 97 A - - 97 A 97 A
最大漏源导通电阻 0.009 Ω - - 0.009 Ω 0.009 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-262AA - - TO-220AB TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 - - R-PSFM-T3 R-PSSO-G2
元件数量 1 - - 1 1
端子数量 3 - - 3 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE - - ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE - - FLANGE MOUNT SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - - 250 260
极性/信道类型 N-CHANNEL - - N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 390 A - - 390 A 390 A
认证状态 Not Qualified - - Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO - - NO YES
端子形式 THROUGH-HOLE - - THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE - - SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - - 30 30
晶体管应用 SWITCHING - - SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON - - SILICON SILICON
ASK/FSK接收器
ATA5745/ATA5746 UHF ASK/FSK接收器...
frozenviolet 模拟电子
照相手机应用的图像完美性
[i=s] 本帖最后由 jameswangsynnex 于 2015-3-3 19:58 编辑 [/i]照相手机拍照,要经过电子/光学/机械的过程。本文讨论了从照相手机中的CMOS传感器拍摄到好照片的问题。首先描述了由于镜头所引起的锐度下降,随机噪音和固定图形噪音。还描述了各种有关的成像过程,包括图像复原,图像增强以及影响处理的因素如自动暴光,自动白平衡,抗虚光,彩色滤波器阵列内插,色彩恢复和修改...
lorant 移动便携
变频器的保护及处理方法经验小谈
过电流保护功能:变频器中过电流保护的对象主要指带有突变性质的、电流的峰值超过了变频器的容许值的情形.由于逆变器件的过载能力较差所以变频器的过电流保护是至关重要的一环迄今为止已发展得十分完善.过电流的原因 1、工作中过电流即拖动系统在工作过程中出现过电流.其原因大致来自以下几方面:①电动机遇到冲击负载或传动机构出现“卡住”现象引起电动机电流的突然增加.②变频器的输出侧短路如输出端到电动机之间的连接线...
eeleader 工控电子
【CN0056】光电二极管功率检波器应用
光电二极管功率检波器应用中高端电流镜ADL5315 与跨导线性对数放大器的接口电路功能与优势ADL5315针对在光纤系统中对PIN光电二极管电流进行精密高端监控的需求,也适合许多非光电应用。它经过优化,可与ADI公司的跨导线性对数放大器配合使用,从而充分利用ADL5315的宽输入电流范围。本文所述电路如图1所示,它利用精密、宽范围、高端电流镜ADL5315和跨导线性对数放大器AD8305提供高精度...
EEWORLD社区 ADI参考电路
一种新型实用的IGBT 驱动电路
摘要:在分析了IGBT 驱动条件的基础上介绍了几种常见的 IGBT 驱动电路,并给出了各自的优缺点。给出了自行设计的一种简单、实用的新型IGBT 驱动电路。经实践表明,该电路经济、实用、安全、可靠,同时具有IGBT 过电流保护功能,具有很好的应用前景。1 引言绝缘门极双极型晶体管(Isolated Gate Bipolar Transistor)简称IGBT。也称绝缘门极晶体管。由于IGBT 内具...
eeleader 工控电子
问一个很基础的问题
XBYTE[0x8004];和P0=0x04;P2=80;有什么区别XBYTE[0x8004];是什么意思,为什么有些地方用XBYTE[0x8004]=0;...
kerrigan 嵌入式系统

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 361  429  926  1295  1353 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved