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IRFB4410Z

产品类别半导体    分立半导体   
文件大小346KB,共12页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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IRFB4410Z相似产品对比

IRFB4410Z IRFS4410Z IRFSL4410Z IRFB4410ZPBF IRFS4410ZTRLPBF
描述 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):97A 栅源极阈值电压:4V @ 150uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 58A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):230W 类型:N沟道 N沟道,100V,97A,9mΩ@10V 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):97A 栅源极阈值电压:4V @ 150uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 58A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):230W 类型:N沟道 N沟道 100V 97A
是否Rohs认证 - - 符合 符合 符合
厂商名称 - - Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
包装说明 - - IN-LINE, R-PSIP-T3 LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3 LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
Reach Compliance Code - - compliant compliant compliant
ECCN代码 - - EAR99 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) - - 242 mJ 242 mJ 242 mJ
外壳连接 - - DRAIN DRAIN DRAIN
配置 - - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 - - 100 V 100 V 100 V
最大漏极电流 (ID) - - 97 A 97 A 97 A
最大漏源导通电阻 - - 0.009 Ω 0.009 Ω 0.009 Ω
FET 技术 - - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 - - TO-262AA TO-220AB TO-263AB
JESD-30 代码 - - R-PSIP-T3 R-PSFM-T3 R-PSSO-G2
元件数量 - - 1 1 1
端子数量 - - 3 3 2
工作模式 - - ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 - - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - - IN-LINE FLANGE MOUNT SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) - - NOT SPECIFIED 250 260
极性/信道类型 - - N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) - - 390 A 390 A 390 A
认证状态 - - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 - - NO NO YES
端子形式 - - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 - - SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 - - NOT SPECIFIED 30 30
晶体管应用 - - SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 - - SILICON SILICON SILICON

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