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ZXMP6A18KTC

产品描述漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.8A 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:55mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.15W 类型:P沟道 P沟道,-60V,-6.8A,55mΩ@-10V
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小571KB,共8页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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ZXMP6A18KTC概述

漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.8A 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:55mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.15W 类型:P沟道 P沟道,-60V,-6.8A,55mΩ@-10V

ZXMP6A18KTC规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)6.8A
栅源极阈值电压1V @ 250uA
漏源导通电阻55mΩ @ 3.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)2.15W
类型P沟道

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