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BSO130N03MS G: 产品描述MOSFET N-Ch 30V 9A DSO-8; 产品类别半导体分立半导体晶体管 MOSFET; 文件大小669KB，共9页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/; 标准

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BSO130N03MS G概述

MOSFET N-Ch 30V 9A DSO-8

参数名称	属性值
厂商名称	Infineon(英飞凌)
产品种类	MOSFET
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SO-8
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Id-连续漏极电流	9 A
Rds On-漏源导通电阻	13 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	1.56 W
配置	Single Quad Drain Triple Source
通道模式	Enhancement
封装	Cut Tape
封装	Reel
高度	1.75 mm
长度	4.9 mm
系列	BSO130N03
晶体管类型	1 N-Channel
宽度	3.9 mm
下降时间	3.8 ns
上升时间	3.8 ns
工厂包装数量	2500
典型关闭延迟时间	8.4 ns
典型接通延迟时间	7.3 ns
单位重量	540 mg

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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