电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

RN1119MFV,L3F

产品描述双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor NPN .1A 50V 1kohm
产品类别半导体    分立半导体    晶体管    双极晶体管 - 预偏置   
文件大小163KB,共6页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
下载文档 详细参数 全文预览

RN1119MFV,L3F概述

双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor NPN .1A 50V 1kohm

RN1119MFV,L3F规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
产品种类双极晶体管 - 预偏置
配置Single
晶体管极性NPN
典型输入电阻器1 kOhms
安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SOT-723-3
直流集电极/Base Gain hfe Min120
集电极—发射极最大电压 VCEO50 V
集电极连续电流100 mA
峰值直流集电极电流100 mA
Pd-功率耗散150 mW
最大工作温度+ 150 C
系列RN1119MFV
封装Cut Tape
封装Reel
发射极 - 基极电压 VEBO5 V
通道模式Enhancement
最大直流电集电极电流100 mA
工厂包装数量8000
单位重量1.500 mg

文档预览

下载PDF文档
RN1119MFV
TOSHIBA Transistor
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1119MFV
0.8±0.05
0.32±0.05
0.45
0.4
0.4
Switching Applications
Inverter Circuit Applications
Interface Circuit Applications
Driver Circuit Applications
1.2±0.05
0.8±0.05
Unit: mm
0.22±0.05
0.4
1
2
3
0.4
1.2±0.05
With built-in bias resistors
Simplify circuit design
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
Equivalent Circuit
0.5±0.05
VESM
1.BASE
2.EMITTER
3.COLLECTOR
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-1L1A
Weight: 1.5 mg (typ.)
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characterisstic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
(Note1)
T
j
T
stg
Rating
50
50
5
100
150
150
−55
to 150
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
1.15
0.4
0.5
0.45
Land Pattern Example
Unit: mm
Note:
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Note1
:
Mounted on FR4 board
(25.4
mm
×
25.4 mm
×
1.6 mmt)
Start of commercial production
2005-09
1
2014-03-01
0.13±0.05
Complementary to RN2119MFV

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 752  1290  1663  1420  2747  48  22  56  32  16 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved