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24CW640T-I/MUY

产品描述电可擦除可编程只读存储器 1.6-5.5V, 1MHz, Ind Tmp, 8-UDFN
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文件大小869KB,共53页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
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24CW640T-I/MUY概述

电可擦除可编程只读存储器 1.6-5.5V, 1MHz, Ind Tmp, 8-UDFN

24CW640T-I/MUY规格参数

参数名称属性值
厂商名称Microchip(微芯科技)
包装说明UDFN-8
Reach Compliance Codecompliant
Factory Lead Time6 weeks
最大时钟频率 (fCLK)1 MHz
JESD-30 代码R-PDSO-N8
长度3 mm
内存密度65536 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量8
字数8192 words
字数代码8000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织8KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码HVSON
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
并行/串行SERIAL
筛选级别TS 16949
座面最大高度0.55 mm
串行总线类型SPI
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.6 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式NO LEAD
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
宽度2 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms

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24CW16X/24CW32X/24CW64X
16K-64K I
2
C Serial EEPROM with Software Write
Protection Family Data Sheet
Device Selection Table
Part Number
24CW16X
24CW32X
24CW64X
Note:
Density
16-Kbit
32-Kbit
64-Kbit
Page Size
32-byte
32-byte
32-byte
V
CC
Range
1.6-5.5
1.6-5.5
1.6-5.5
Package
SN, OT, ST, MU
SN, OT, ST, MU
SN, OT, ST, MU, CS0, CS1
Temp. Ranges
I
I
I
‘X’ in the part number refers to the preset hardware slave address. Refer to
Table 3-2
for additional information.
Features
• 16/32/64-Kbit EEPROM:
- Internally organized as one
2048/4096/8192 x 8 bit block
- Byte or page writes up to 32 bytes
- Byte or sequential reads within a block
- Self-timed write cycle (5 ms maximum)
• High-Speed I
2
C Interface:
- Industry standard: 1 MHz, 400 kHz and
100 kHz
- Output slope control to eliminate ground
bounce
- Schmitt trigger inputs for noise suppression
• Programmable Hardware Slave Address Bits:
- Configurable via the Hardware Address
Register (HAR)
• Versatile Data Protection Options:
- Software write protection via the Write
Protection Register (WPR)
• Operating Voltage Range of 1.6V to 5.5V
• Low-Power CMOS Technology:
- Write current: 1.0 mA maximum at 5.5V
- Read current: 1.0 mA maximum at 5.5V,
1 MHz
- Standby Current: 1 µA at 5.5V
• High Reliability:
- More than one million erase/write cycles
- Data retention: >200 years
- ESD protection: >4000V
• RoHS Compliant
Package Types (not to scale)
8-Lead SOIC/TSSOP
(Top View)
NC
NC
NC
Vss
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
NC
SCL
SDA
5-Lead SOT23
(Top View)
SCL 1
V
SS
2
SDA 3
4 V
CC
5 NC
8-Pad UDFN
(Top View)
NC
1
NC
2
NC
3
V
SS
4
4-Ball CSP (CS0)
(1)
(Top View)
V
CC
V
SS
8
V
CC
7
NC
6
SCL
5
SDA
4-Ball CSP (CS1)
(2)
(Top View)
V
CC
SCL
SCL
SDA
SDA
V
SS
Note 1:
CS0 CSP ball pitch is 0.4x0.4mm.
2:
CS1 CSP ball pitch is 0.5x0.4mm.
Pin Function Table
Name
V
SS
SDA
SCL
V
CC
Ground
Serial Data Pin
Serial Clock Input
Supply Voltage
Function
Packages
• 8-Lead SOIC, 8-Lead TSSOP, 8-Pad UDFN,
5-Lead SOT-23 and Two 4-Ball CSP options
2017 Microchip Technology Inc.
Preliminary
DS20005772A-page 1

24CW640T-I/MUY相似产品对比

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描述 电可擦除可编程只读存储器 1.6-5.5V, 1MHz, Ind Tmp, 8-UDFN 电可擦除可编程只读存储器 64 Kbit I2C Serial 电可擦除可编程只读存储器 with Software Write Protection, Industrial Temp 电可擦除可编程只读存储器 64 Kbit I2C Serial 电可擦除可编程只读存储器 with Software Write Protection, Industrial Temp 电可擦除可编程只读存储器 1.6-5.5V, 1MHz, Ind Tmp, 8-UDFN 电可擦除可编程只读存储器 1.6-5.5V, 1MHz, Ind Tmp, 8-UDFN 电可擦除可编程只读存储器 64 Kbit I2C Serial 电可擦除可编程只读存储器 with Software Write Protection, Industrial Temp
厂商名称 Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技)
组织 8KX8 8KX8 8KX8 4KX8 2 k x 8 8KX8
包装说明 UDFN-8 SOIC-8 CSP-4 UDFN-8 - TSSOP-8
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant - compliant
Factory Lead Time 6 weeks 9 weeks 13 weeks 6 weeks - 13 weeks
最大时钟频率 (fCLK) 1 MHz 1 MHz 1 MHz 1 MHz - 1 MHz
JESD-30 代码 R-PDSO-N8 R-PDSO-G8 R-PBGA-B4 R-PDSO-N8 - R-PDSO-G8
长度 3 mm 4.9 mm - 3 mm - 4.4 mm
内存密度 65536 bit 65536 bit 65536 bit 32768 bit - 65536 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM - EEPROM
内存宽度 8 8 8 8 - 8
功能数量 1 1 1 1 - 1
端子数量 8 8 4 8 - 8
字数 8192 words 8192 words 8192 words 4096 words - 8192 words
字数代码 8000 8000 8000 4000 - 8000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C - 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C - -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装代码 HVSON SOP VFBGA HVSON - TSSOP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE - SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行 SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL - SERIAL
筛选级别 TS 16949 TS 16949 TS 16949 TS 16949 - TS 16949
座面最大高度 0.55 mm 1.75 mm 0.33 mm 0.55 mm - 1.2 mm
串行总线类型 SPI SPI SPI SPI - SPI
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V - 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 1.6 V 1.6 V 1.6 V 1.6 V - 1.6 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V - 1.8 V
表面贴装 YES YES YES YES - YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS - CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL - INDUSTRIAL
端子形式 NO LEAD GULL WING BALL NO LEAD - GULL WING
端子节距 0.5 mm 1.27 mm 0.4 mm 0.5 mm - 0.65 mm
端子位置 DUAL DUAL BOTTOM DUAL - DUAL
宽度 2 mm 3.9 mm - 2 mm - 3 mm
最长写入周期时间 (tWC) 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms - 5 ms
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