N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
56DN06
T
vj
= -40°C... T
vj max
V
RRM
I
FRMSM
T
C
= 126 °C
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= Tvj max, t
P
= 10 ms
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= Tvj max, t
P
= 10 ms
I
FAVM
I
FSM
I²t
600 V
10050 A
6400 A
81000 A
70000 A
32800 10³A²s
24500 10³A²s
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
Kenndaten
repetitive peak reverse voltages
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie
2000 A
≤
i
F
≤
32000 A
on-state characteristic
Elektrische Eigenschaften
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 10 kA
v
F
max.
1,15 V
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
r
T
A=
B=
C=
D=
i
R
0,7 V
0,04 mΩ
4,617E-01
2,002E-05
7,441E-03
4,190E-03
max.
100 mA
v
F
=
A
+
B
⋅
i
F
+
C
⋅
ln ( i
F
+
1 )
+
D
⋅
Sperrstrom
reverse current
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
i
F
T
vj
= T
vj max
, v
R
= V
RRM
Thermische Eigenschaften
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided,
θ
= 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
R
thJC
max.
max.
max.
0,0062 °C/W
0,0055 °C/W
0,0025 °C/W
180 °C
R
thCH
T
vj max
T
c op
T
stg
-40...+180 °C
-40...+180 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
Gewicht
weight
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
F
G
typ.
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40...60 kN
110 g
50 m/s²
prepared by: H.Sandmann
approved by: M.Leifeld
date of publication:
revision:
2011-02-17
3.0
IFBIP D AEC / 2011-02-17, H.Sandmann
A 05/11
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
56DN06
Maßbild
Maßbild
Hinweis:
Wir empfehlen die Diode mit einem temperaturbeständigen O-Ring zu schützen.
Notice:
We recommended to protect the diode with a temperature resistant O-Ring.
1
2
1:
Anode/
Anode
2:
Kathode/
Cathode
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
56DN06
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Transienter Wärmewiderstand
Kühlung /
Cooling
beidseitig
two-sided
Pos. n
R
thn
[°C/W]
1
0,000019
0,000010
2
0,00032
0,00145
3
0,001015
0,014031
4
0,004146
0,071000
5
-
-
n
max
n=1
6
-
-
-t
7
-
-
τ
n
[s]
Analytische Funktion / Analytical function:
Z
thJC
=
Σ
R
thn
1
−
e
τ
n
0,006
b
0,005
0,004
0,003
0,002
0,001
0,000
0,001
Z
thJC
[°C/W]
0,01
t [s]
0,1
1
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Z
thJC
= f(t)
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
56DN06
Erhöhung des Z
th DC
bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel
Θ
Rise of
Diagramme
Z
th DC
for sinewave and rectangular current for different current conduction angles
Θ
∆Z
th
Θ
rec
/
∆Z
th
Θ
sin
Diagramme
Kühlung / Cooling
∆Z
th
Θ
rec
[°C/W]
∆Z
th
Θ
sin
[°C/W]
Θ
= 180°
0,00115
0,00083
Θ
= 120°
0,00181
0,00114
Θ
= 90°
0,00230
0,00153
Θ
= 60°
0,00302
0,00219
Θ
= 30°
0,00424
0,00343
beidseitig
two-sided
Z
th
Θ
rec
= Z
th DC
+
∆Z
th
Θ
rec
Z
th
Θ
sin
= Z
th DC
+
∆Z
th
Θ
sin
35.000
30.000
25.000
i
F
[A]
20.000
15.000
10.000
5.000
0
0,6
0,8
1
1,2
V
F
[V]
1,4
1,6
1,8
2
T
vj
= T
vj max
Durchlasskennlinie
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic i
F
= f(v
F
)
T
vj
= T
vj max
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Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
12000
10000
8000
P
FAV
[W]
Datenblatt / Data sheet
56DN06
Durchlassverluste
c
e
d
Parameter:
a - DC
b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)
c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)
d - rec 60°el (M 6)
e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-
belastung / Reverse voltage load)
f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-
belastung / Reverse voltage load)
b
a
6000
4000
2000
0
0
2000
f
4000
6000
I
FAV
[A]
8000
10000
12000
Durchlassverlustleistung / On-state power loss P
FAV
= f(I
FAV
)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
180
160
140
120
T
C
[°C]
100
80
60
40
20
0
2000
f
e
Tc beidseitig
Parameter:
a - DC
b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)
c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)
d - rec 60°el (M 6)
e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-
belastung / Reverse voltage load)
f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-
belastung / Reverse voltage load)
d
c
b
a
4000
6000
I
FAV
[A]
8000
10000
12000
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T
C
= f(I
FAV
)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
IFBIP D AEC / 2011-02-17, H.Sandmann
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