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56DN06 ELEM

产品描述DIODE GEN PURP 600V 6400A
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小174KB,共7页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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56DN06 ELEM概述

DIODE GEN PURP 600V 6400A

56DN06 ELEM规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)600V
电流 - 平均整流(Io)6400A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.15V @ 10000A
速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流100mA @ 600V
安装类型底座安装
封装/外壳DO-200AB,B-PUK
工作温度 - 结-40°C ~ 180°C

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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
56DN06
T
vj
= -40°C... T
vj max
V
RRM
I
FRMSM
T
C
= 126 °C
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= Tvj max, t
P
= 10 ms
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= Tvj max, t
P
= 10 ms
I
FAVM
I
FSM
I²t
600 V
10050 A
6400 A
81000 A
70000 A
32800 10³A²s
24500 10³A²s
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
Kenndaten
repetitive peak reverse voltages
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie
2000 A
i
F
32000 A
on-state characteristic
Elektrische Eigenschaften
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 10 kA
v
F
max.
1,15 V
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
r
T
A=
B=
C=
D=
i
R
0,7 V
0,04 mΩ
4,617E-01
2,002E-05
7,441E-03
4,190E-03
max.
100 mA
v
F
=
A
+
B
i
F
+
C
ln ( i
F
+
1 )
+
D
Sperrstrom
reverse current
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
i
F
T
vj
= T
vj max
, v
R
= V
RRM
Thermische Eigenschaften
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided,
θ
= 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
R
thJC
max.
max.
max.
0,0062 °C/W
0,0055 °C/W
0,0025 °C/W
180 °C
R
thCH
T
vj max
T
c op
T
stg
-40...+180 °C
-40...+180 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
Gewicht
weight
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
F
G
typ.
Seite 2
page 2
40...60 kN
110 g
50 m/s²
prepared by: H.Sandmann
approved by: M.Leifeld
date of publication:
revision:
2011-02-17
3.0
IFBIP D AEC / 2011-02-17, H.Sandmann
A 05/11
Seite/page
1/7

56DN06 ELEM相似产品对比

56DN06 ELEM 56DN06ELEMHOSA1 56DN06 ELEM PR
描述 DIODE GEN PURP 600V 6400A Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6400A, 600V V(RRM), Silicon, DIODE GEN PURP 600V 6400A
二极管类型 标准 RECTIFIER DIODE 标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 600V - 600V
电流 - 平均整流(Io) 6400A - 6400A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 1.15V @ 10000A - 1.15V @ 10000A
速度 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) - 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 100mA @ 600V - 100mA @ 600V
安装类型 底座安装 - 底座安装
封装/外壳 DO-200AB,B-PUK - DO-200AB,B-PUK
工作温度 - 结 -40°C ~ 180°C - -40°C ~ 180°C

 
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