IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Alliance Memory |
| 包装说明 | FBGA-96 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| Factory Lead Time | 8 weeks |
| Samacsys Description | DRAM 512M 1.5V 800Mhz 32M x 16 DDR3 |
| 访问模式 | MULTI BANK PAGE BURST |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 800 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| 交错的突发长度 | 4,8 |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B96 |
| 长度 | 13 mm |
| 内存密度 | 536870912 bit |
| 内存集成电路类型 | DDR3 DRAM |
| 内存宽度 | 16 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 96 |
| 字数 | 33554432 words |
| 字数代码 | 32000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 32MX16 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | VFBGA |
| 封装等效代码 | BGA96,9X16,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 刷新周期 | 8192 |
| 座面最大高度 | 1 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 连续突发长度 | 4,8 |
| 最大待机电流 | 0.012 A |
| 最小待机电流 | 1.425 V |
| 最大压摆率 | 0.195 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.575 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.425 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 8 mm |
| AS4C32M16D3-12BCN | AS4C32M16D3-12BINTR | AS4C32M16D3-12BIN | |
|---|---|---|---|
| 描述 | IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA | IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA | IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA |
| 技术 | CMOS | SDRAM - DDR3 | SDRAM - DDR3 |
| 存储器类型 | - | 易失 | 易失 |
| 存储器格式 | - | DRAM | DRAM |
| 存储容量 | - | 512Mb （32M x 16） | 512Mb （32M x 16） |
| 时钟频率 | - | 800MHz | 800MHz |
| 访问时间 | - | 20ns | 20ns |
| 存储器接口 | - | 并联 | 并联 |
| 电压 - 电源 | - | 1.425 V ~ 1.575 V | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 工作温度 | - | -40°C ~ 95°C（TC） | -40°C ~ 95°C（TC） |
| 安装类型 | - | 表面贴装 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | - | 96-VFBGA | 96-VFBGA |
| 供应商器件封装 | - | 96-FBGA（13x8） | 96-FBGA（13x8） |
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