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AS4C32M16D3-12BINTR

产品描述IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA
产品类别存储   
文件大小2MB,共86页
制造商Alliance Memory
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AS4C32M16D3-12BINTR概述

IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA

AS4C32M16D3-12BINTR规格参数

参数名称属性值
存储器类型易失
存储器格式DRAM
技术SDRAM - DDR3
存储容量512Mb (32M x 16)
时钟频率800MHz
访问时间20ns
存储器接口并联
电压 - 电源1.425 V ~ 1.575 V
工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
安装类型表面贴装
封装/外壳96-VFBGA
供应商器件封装96-FBGA(13x8)

AS4C32M16D3-12BINTR相似产品对比

AS4C32M16D3-12BINTR AS4C32M16D3-12BCN AS4C32M16D3-12BIN
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA
技术 SDRAM - DDR3 CMOS SDRAM - DDR3
存储器类型 易失 - 易失
存储器格式 DRAM - DRAM
存储容量 512Mb (32M x 16) - 512Mb (32M x 16)
时钟频率 800MHz - 800MHz
访问时间 20ns - 20ns
存储器接口 并联 - 并联
电压 - 电源 1.425 V ~ 1.575 V - 1.425 V ~ 1.575 V
工作温度 -40°C ~ 95°C(TC) - -40°C ~ 95°C(TC)
安装类型 表面贴装 - 表面贴装
封装/外壳 96-VFBGA - 96-VFBGA
供应商器件封装 96-FBGA(13x8) - 96-FBGA(13x8)
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