MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 39A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 7.2 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 11.6nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1450pF @ 20V |
| 功率耗散（最大值） | 20W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | 8-HSMT（3.2x3） |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| RQ3G150GNTB | RQ3L050GNTB | RQ3E075ATTB | |
|---|---|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT | MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT | MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT |
| FET 类型 | N 沟道 | - | P 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | - | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | - | 30V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 39A（Tc） | - | 18A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | - | 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 7.2 毫欧 @ 15A，10V | - | 23 毫欧 @ 7.5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | - | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 11.6nC @ 4.5V | - | 10.4nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±20V | - | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1450pF @ 20V | - | 930pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 20W（Tc） | - | 15W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | - | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 | - | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | 8-HSMT（3.2x3） | - | 8-HSMT（3.2x3） |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN | - | 8-PowerVDFN |
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