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KSD985-O: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126; 产品类别晶体管; 文件大小112KB，共3页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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KSD985-O概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126

KSD985-O规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SAMSUNG(三星)
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
外壳连接	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)	1.5 A
集电极-发射极最大电压	60 V
配置	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	4000
JEDEC-95代码	TO-126
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	NPN
功耗环境最大值	10 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
VCEsat-Max	1.5 V
Base Number Matches	1

KSD985-O相似产品对比

	KSD985-O	KSD985	KSD985-Y	KSD985-R	KSD986-Y	KSD986-R	KSD986-O
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-126	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)	1.5 A	1.5 A	1.5 A	1.5 A	1.5 A	1.5 A	1.5 A
配置	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	DARLINGTON	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	4000	2000	8000	2000	8000	2000	4000
JEDEC-95代码	TO-126	TO-126	TO-126	TO-126	TO-126	TO-126	TO-126
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3
元件数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	AMPLIFIER	SWITCHING	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	-	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
ECCN代码	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
Is Samacsys	N	N	N	N	N	-	-
集电极-发射极最大电压	60 V	-	60 V	60 V	80 V	80 V	80 V
功耗环境最大值	10 W	-	10 W	10 W	10 W	10 W	10 W
VCEsat-Max	1.5 V	-	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V
Base Number Matches	1	1	1	1	1	-	-

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