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KSD985-R

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126
产品类别晶体管   
文件大小112KB，共3页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KSD985-R概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126

KSD985-R规格参数

参数名称属性值
厂商名称SAMSUNG(三星)
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)1.5 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)2000
JEDEC-95代码TO-126
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值10 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
VCEsat-Max1.5 V
Base Number Matches1

KSD985-R相似产品对比

KSD985-R KSD985 KSD985-Y KSD985-O KSD986-Y KSD986-R KSD986-O
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126 Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-126 Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126 Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126 Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126 Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126 Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 1.5 A 1.5 A 1.5 A 1.5 A 1.5 A 1.5 A 1.5 A
配置 DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 2000 2000 8000 4000 8000 2000 4000
JEDEC-95代码 TO-126 TO-126 TO-126 TO-126 TO-126 TO-126 TO-126
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 AMPLIFIER SWITCHING AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) - SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
Is Samacsys N N N N N - -
集电极-发射极最大电压 60 V - 60 V 60 V 80 V 80 V 80 V
功耗环境最大值 10 W - 10 W 10 W 10 W 10 W 10 W
VCEsat-Max 1.5 V - 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V
Base Number Matches 1 1 1 1 1 - -

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