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NAND02GW3B2DN6E

产品描述IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP
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文件大小2MB,共67页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
标准
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NAND02GW3B2DN6E概述

IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP

NAND02GW3B2DN6E规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码TSOP
包装说明TSOP1, TSSOP48,.8,20
针数48
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间25000 ns
命令用户界面YES
数据轮询NO
JESD-30 代码R-PDSO-G48
长度18.4 mm
内存密度2147483648 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
部门数/规模2K
端子数量48
字数268435456 words
字数代码256000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装等效代码TSSOP48,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小2K words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3/3.3 V
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1.2 mm
部门规模128K
最大待机电流0.00005 A
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位NO
类型SLC NAND TYPE
宽度12 mm

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NAND02G-BxD
2-Gbit, 2112-byte/1056-word page
multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, SLC NAND flash memories
Features
High density NAND flash memory
– Up to 2 Gbits of memory array
– Cost-effective solution for mass storage
applications
NAND interface
– x8 or x16 bus width
– Multiplexed address/data
Supply voltage: 1.8 V or 3 V device
VFBGA63
TSOP48 12 x 20 mm (N)
Page size
– x8 device: (2048 + 64 spare) bytes
– x16 device: (1024 + 32 spare) words
Block size
– x8 device: (128 K + 4 K spare) bytes
– x16 device: (64 K + 2 K spare) words
Multiplane architecture
– Array split into two independent planes
– Program/erase operations can be
performed on both planes at the same time
Page read/program
– Random access: 25 µs (max)
– Sequential access: 25 ns (min)
– Page program time: 200 µs (typ)
– Multiplane page program time (2 pages):
200 µs (typ)
Copy back program with automatic EDC (error
detection code)
Cache read mode
Fast block erase
– Block erase time: 1.5 ms (typ)
– Multiblock erase time (2 blocks): 1.5 ms
(typ)
Status register
Electronic signature
VFBGA63 9 x 11 x 1.05 mm (ZA)
Chip Enable ‘don’t care’
Security features
– OTP area
– Serial number (unique ID)
– Non-volatile protection option
Data protection:
– Hardware program/erase disabled during
power transitions
ONFI 1.0 compliant command set
Data integrity
– 100,000 program/erase cycles (with ECC)
– 10 years data retention
RoHS compliant packages
Device summary
Root part number
NAND02GR3B2D
NAND02GW3B2D
NAND02G-BxD
NAND02GR3BAD
NAND02GR4B2D
NAND02GW4B2D
Table 1.
Reference
February 2010
Rev 7
1/67
www.numonyx.com
1

NAND02GW3B2DN6E相似产品对比

NAND02GW3B2DN6E NAND02GR3B2DZA6E NAND02GW3B2DZA6E
描述 IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 Micron Technology Micron Technology Micron Technology
零件包装代码 TSOP BGA BGA
包装说明 TSOP1, TSSOP48,.8,20 TFBGA, BGA63,10X12,32 TFBGA, BGA63,10X12,32
针数 48 63 63
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 3A991.B.1.A 3A991.B.1.A 3A991.B.1.A
最长访问时间 25000 ns 25000 ns 20 ns
命令用户界面 YES YES YES
数据轮询 NO NO NO
JESD-30 代码 R-PDSO-G48 R-PBGA-B63 R-PBGA-B63
长度 18.4 mm 11 mm 11 mm
内存密度 2147483648 bit 2147483648 bit 2147483648 bit
内存集成电路类型 FLASH FLASH FLASH
内存宽度 8 8 8
功能数量 1 1 1
部门数/规模 2K 2K 2K
端子数量 48 63 63
字数 268435456 words 268435456 words 268435456 words
字数代码 256000000 256000000 256000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C
组织 256MX8 256MX8 256MX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP1 TFBGA TFBGA
封装等效代码 TSSOP48,.8,20 BGA63,10X12,32 BGA63,10X12,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小 2K words 2K words 2K words
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 260 NOT SPECIFIED
电源 3/3.3 V 1.8 V 3/3.3 V
编程电压 3 V 1.8 V 3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
就绪/忙碌 YES YES YES
座面最大高度 1.2 mm 1.05 mm 1.05 mm
部门规模 128K 128K 128K
最大待机电流 0.00005 A 0.00005 A 0.00005 A
最大压摆率 0.03 mA 0.02 mA 0.03 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 1.95 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V 1.7 V 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V 1.8 V 3 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 GULL WING BALL BALL
端子节距 0.5 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 30 NOT SPECIFIED
切换位 NO NO NO
类型 SLC NAND TYPE SLC NAND TYPE SLC NAND TYPE
宽度 12 mm 9 mm 9 mm
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